Процеси старіння в імплантованих іонами фтору та лазерно опромінених плівках LaGa:ЗІГ

B. K. Ostafiychuk, I. P. Yaremiy, S. I. Yaremiy, M. M. Povkh, L. S. Yablon, I. M. Budzulyak

Анотація


На основі результатів X-променевого структурного аналізу вивчено зміни кристалічної структури під час природного старіння та лазерного відпалу, які відбувалися в приповерхневих шарах епітаксійних плівок LaGa-заміщеного залізо-ітрієвого гранату, імплантованого іонами F+. Розглянуто процеси, що відбуваються під час імплантації іонами F+ ферит-гранатових плівок, та процеси, які супроводжують низькотемпературне старіння іонно імплантованих плівок. З експериментальних кривих дифракційного відбивання, отриманих відразу після іонної імплантації, після лазерного опромінення та через кілька років, визначено профілі деформації. Виявлено два етапи в змінах кристалічної структури приповерхневого порушеного шару з часом. На протязі першого з них максимальна деформація в іонно імплантованому шарі незначно зростала, а на другому зменшувалася. Встановлено, що результати лазерного відпалу та природного старіння приповерхневих шарів імплантованих іонами F+ та лазерно опромінених плівок LaGa:ЗІГ залежать від того, з якої сторони відбувалося опромінення лазером. Однак, результат їх сумарного впливу не залежить від сторони лазерного опромінення.


Ключові слова


природне старіння; профіль деформації; Х-променева дифрактометрія; іонна імплантація; лазерне опромінення; дефекти структури

Посилання


Ion beam applications in surface and bulk modification of insulators (International Atomic Energy Agency, Vienna, 2008).

V. S. Vavilov, A. E. Kiv, O. R. Niyazova, Formation mechanisms and defect migration in semiconductors (Nauka, M, 1981).

I. Yaremiy, S. Yaremiy, M. Povkh, O. Vlasii, V. Fedoriv, A. Luсas, Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12 (96)), (2018) (doi: 10.15587/1729-4061.2018.151806).

I. P. Yaremiy, M.M. Povkh, V.O. Kotsyubynsky, V.D. Fedoriv, S.I. Yaremiy, R.I. Pashkovska, Physics and Chemistry of Solid State, 20(1), (2019) (doi: 10.15330/pcss.20.1.56-62)

J. F. Ziegler, J. P. Biersack, U. Littmark, The Stopping and Range of Ions in Solids (Pergamon Press, New York, 1985).

B. K. Ostafiychuk, V. D. Fedoriv, I. P. Yaremiy et al., Phys. Status Solidi A 208(9), (2011) (doi: 10.1002/pssa.201026749).

V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.N. Kislovskii et al., Phys. Status Solidi A 227(2), (2001).

S.I. Olikhovskii, V.B. Molodkin, E.N. Kislovskii et al., Phys. Status Solidi A 231(1), (2002).

V.M. Pylypiv, O.S. Skakunova, T.P. Vladimirova et al., Metallofizika i Noveishie Tekhnologii 34(11) (2013).

B. K. Ostafiychuk, V. D. Fedoriv, L.S. Yablon et al., Physics and Chemistry of Solid State, 3(4), (2002).

I. Izhnin, V. Bogoboyashchyy, F. Sizov, Proc. SPIE 5957, 595713 (2005).

I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, A. Y. Bonchyk, G. V. Savitski et el., Izvestiya vysshyh uchebnykh zavedeniy. Physics 55 (8/2) 150 (2012).

B. K. Ostafiychuk, I. P. Yaremiy, S. I. Yaremiy et al., Metallofizika i Noveishie Tekhnologii 35(10) (2012).

A. V. Dvurechenskiy, G. A. Kachurin, E. V. Nidaev, L. S. Smirnov, Impuls annealing of semiconductor materials (Nauka, Moskow, 1982).

R. I. Batalov, V. V. Vorobev, V. I. Nuzhdin et al., Opt. Spectrosc. 125, 571 (2018). (doi: 10.1134/S0030400X18100065).

V. P. Voronkov, G. A. Gurchenok, Physics and technics of semiconductors (10), 1831 (1990).

V. V. Titov. The role of mechanical stress at the doping of the materials by ionic beam (Pre-print of the IAE-3774/11, Moskow, 1983).

B. K. Ostafiychuk, I. M.Budzulyak, I. P. Yaremiy et al., Physics and Chemistry of Solid State, 9(1), (2008).


Повний текст: PDF (English)
7 :: 20

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.