[1]
Катеринчук, В. et al. 2016. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe. Фізика і хімія твердого тіла. 17, 4 (Груд 2016), 507–510. DOI:https://doi.org/10.15330/pcss.17.4.507-510.