Новосядлий, С. і Бойко, С. 2016. Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем. Фізика і хімія твердого тіла. 17, 2 (Чер 2016), 281–285. DOI:https://doi.org/10.15330/pcss.17.2.281-285.