Ткачук, О. et al. 2015. Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(42). Фізика і хімія твердого тіла. 16, 2 (Чер 2015), 316–321. DOI:https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.316-321.