Новосядлий, С. і Луцький, І. 2015. Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем. Фізика і хімія твердого тіла. 16, 2 (Чер 2015), 413–419. DOI:https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.413-419.