[1]
Новосядлий, С. et al. 2015. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами. Фізика і хімія твердого тіла. 16, 2 (Чер 2015), 420–424. DOI:https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.420-424.