Новосядлий, С.П., і А.М. Босацький. «Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС». Фізика і хімія твердого тіла 16, no. 1 (Березень 15, 2015): 221–229. дата звернення Грудень 5, 2025. https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/1736.