Формування фази розпорошення кристалів PbTe плазмою іонів Ar+ і переосадження розпорошених елементів в умовах вторинної нейтральної масспектрометрії
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.21-28Ключові слова:
розпорошення, переосадження, зародкоутворення, напівпровідникові сполуки свинцюАнотація
Досліджено формування фази розпорошення та переосадження розпорошених Pb і Te при опроміненні іонами Ar+ в умовах вторинної нейтральної масспектрометрії бічних поверхонь кристалів PbTe, вирощених з розплаву методом Бріджмена. Наведено експериментальні докази взаємного впливу один на одного цих процесів підчас профілювання вглиб кристалів PbTe. Розпорошення кристалічної поверхні PbTe формує сильно пересичену фазу розпорошених Pb і Te. Переосадження розпорошених атомів Pb і Тe на поверхню кристалу РbТе, що розпорошується, веде до коливань у часі швидкості розпорошення кристалу, а також змін середніх інтенсивностей розпорошення Pb і Te. Обговорена можлива роль докритичних зародків переосаджуваної фази і її поверхневих структур посткритичних розмірів у формуванні особливостей розпорошення кристалів PbTe. Зроблено висновок, що формування і повторне розпорошення докритичних зародків переосаджуваної фази веде до коливань в часі виходів розпорошення Pb і Тe. Ріст і повторне розпорошення переосаджених поверхневих структур посткритичних розмірів спричиняє зміни середніх значень виходів розпорошення Pb і Te з часом.
Посилання
[2] O. Auciello, J. Engemann, Multicomponent and Multilayered Thin Films for Advanced Microtechnologies: Techniques, Fundamentals and Devices(Springer Science & Business Media,2012).
[3] Nanofabrication by Ion-Beam Sputtering: Fundamentals and Applications, Ed. by Tapobrata Som, Dinakar Kanjilal (Pan Stanford Publishing, 2013).
[4] H. Oechsner, Secondary Neutral Mass Spectrometry (SNMS) and Its Application to Depth Profile and Interface Analysis. In: Thin Film and Depth Profile Analysis, Ed. by Oechsner H, Springer-Verlag, 1984, p. 63-86.
[5] H. Oechsner, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 33, 918 (1988).
[6] I. V. Veryovkin, W. F. Calaway, J. F. Moore, M. J. Pellin, J. W. Lewellen, Y. Li, S. V. Milton, B. V. King, M. Petravic, Applied Surface Science 231-232, 962 (2004).
[7] T. Albers, M. Neumann, D. Lipinsky, A. Benninghoven, Applies Surface Science 70-71, 49 (1993).
[8] T. A. Dang, T. A. Frist, Surface and Coatings Technology 106, 60 (1998).
[9] G. L. Katona, Z. Berényi, L. Péter, K. Vad,Vacuum 82/2, 270 (2007).
[10] T. Schneider, M. Sommer, J. Goschnick, Applied Surface Science 252/1, 257 (2005).
[11] Vasile-Dan Hodoroaba, Wolfgang E.S Unger, Holger Jenett, Volker Hoffmann, Birgit Hagenhoff, Sven Kayser, Klaus Wetzig, Applied Surface Science 179/1-4, 30 (2001).
[12] D. M. Zayachuk, O. S. Ilyina, A. V. Pashuk, V. I. Mikityuk, V. V. Shlemkevych, A. Csik, and D. Kaczorowski, J Cryst Growth 376, 28 (2013).
[13] D. M. Zayachuk, E. I. Slynko, V. E. Slynko, and A. Csik, Materials Letters 173, 167 (2016).
[14] D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, and A. Csik, Physics and Chemistry of Solid State 17, 336 (2016).
[15] P. Sigmund, Theory of Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets, Phys. Rev. 184, 383 (1969).
[16] P. Sigmund, Elements of Sputtering Theory. In: Nanofabrication by Ion-Beam Sputtering. T. Som, D. Kanjilal (Pan Stanford Publishing, 2013).
[17] L. C. Feldman, J. W. Mayer, Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis (North-Holland, 1986).
[18] Handbook of Thin Film Technology, Ed. by L. I. Maissel and R. Glang, V. 2 (McCraw Hill Hook Company, 1970).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
