Вплив зміни концентрації C4H6O6 в складі композицій (NH4)2Cr2O7 HBr C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV

Автор(и)

  • І.В. Левченко Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • Г.П. Маланич Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • В.М. Томашик Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • І.Б. Стратійчук Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.17.4.604-610

Ключові слова:

хіміко-динамічне полірування, травильні композиції, напівпровідники, тартратна кислота, ефект хелатування

Анотація

В роботі наведено результати експериментального визначення впливу вихідної концентрації тартратної кислоти на особливості хімічної взаємодії напівпровідників InAs, InSb, GaAs та GaSb з травильними розчинами (NH4)2Cr2O7‑HBr‑C4H6O6. Встановлено, що введення C4H6O6 знижує загальну швидкість розчинення кристалів, підвищуючи в’язкість травильних композицій, а також покращує поліруючі властивості травильних розчинів. Порівняльний аналіз впливу зміни складу травильних композицій (NH4)2Cr2O7‑HBr‑C4H6O6 з різною вихідною концентрацією C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування свідчить про те, що застосування 40 %-ної C4H6O6, в порівнянні з 27%-ною, забезпечує якісніше полірування поверхні кристалів.

Посилання

[1] http://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=8357 від 17.07.2016.
[2] http://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=8355 від 17.07.2016.
[3] http://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=8356 від 17.07.2016.
[4] http://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=8349 від 17.07.2016.
[5] J. -G. Banuelos, E. V. Basiuk and J. -M. Saniger-Blesa, Rev. Mex. Fris. 49(4), 310 (2003).
[6] S. Adachi, J. Electrochem. Soc.: Solid−state science and technology 129(3), 609 (1982).
[7] R. Srnanek, M. l. Gomati, I. Novotny, D. Pudis, Journal of Crystal Growth. 179, 320 (1997).
[8] D. Sanchez, L. Cerutti and E. Tournie, Semicond. Sci. Technol. 27, 085011 (2012).
[9] P. Bandaru, Mat. Res. Soc. Proc. 782, A13.5.1 (2004).
[10] V. Y. Ivanova, V. V. Chevela, S. G. Bezryadin, Y. I. Salnikov, L. I. Nigmadzyanova, L. A. Almetkina, Bull ONU 5, 4 (2006).
[11] P. Mancheno-Posso and A. J. Muscat, Solid State Phenomena 219, 52 (2015).
[12] Sh. O. Eminov, Kh. D. Jalilov, and E. A. Mamedov, Inorganic Materials 47(4), 340 (2011).
[13] F. M. Mohammedy, M. J. Deen, J Mater Sci: Mater Electron 20, 1039 (2009).
[14] R. Srnanek, M. El. Gomati, I. Novotny, D. Pudis, Journal of Crystal Growth. 179, 320 (1997).

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-12-15

Як цитувати

Левченко, І., Маланич, Г., Томашик, В., & Стратійчук, І. (2016). Вплив зміни концентрації C4H6O6 в складі композицій (NH4)2Cr2O7 HBr C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV. Фізика і хімія твердого тіла, 17(4), 604–610. https://doi.org/10.15330/pcss.17.4.604-610

Номер

Розділ

Наукові статті