Густина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену

Автор(и)

  • А.І. Стецун молібдену Інститут проблем матеріалознавстваім. І.М. Францевича НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.17.3.372-374

Ключові слова:

аморфна плівка, дисиліцидмолібдену

Анотація

Дана робота присвячена розрахунку густини електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену. Для цього використовувались формули, одержані на основі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани у вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами молібдену, p-електронами кремнію та p-електронами молібдену.

Посилання

[1] Sh. M'jurarka, Silicidy dlja SBIS (Mir, Moskva, 1986).
[2] Svojstva, poluchenie i primenenie tugoplavkih soedinenij. Spravochnik (Metallurgija, Moskva, 1986).
[3] Novye materialy dlja mikrojelektroniki. Sbornik nauchnyh trudov (IPM, Kiev, 1983).
[4] L.A. Dvorina, I.V. Kud', V. Bretinajder, Poroshkovaja metallurgija 1, 81 (1987).
[5] W. Paul, G. A.N. ConnelandR.J. Temkin, Advancesin Physics 22, 531 (1973).
[6] N. Mott, Je. Djevis, Jelektronnye processy v nekristallicheskih veshhestvah (Mir, Moskva, 1982).
[7] I.Z. Indutnyj, A.I. Stecun, Optika i spektroskopija 71(1), 83 (1991).
[8] A.І. Stecun, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 14(3), 553 (2013).
[9] S.І. Sidorenko, Ju.M. Makogon, S.M. Voloshko, Materіaloznavstvo tonkoplіvkovih nanostruktur. Diffuzіja і reakcії (Naukova dumka, Kiїv, 2000).
[10] V.N. Antonov, B.Yu. Yavorsky, A.P. Shpak and A.Ya. Perlov, Low Temp. Phys. 20(9), 734 (1994).

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-09-15

Як цитувати

Стецун, А. (2016). Густина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену. Фізика і хімія твердого тіла, 17(3), 372–374. https://doi.org/10.15330/pcss.17.3.372-374

Номер

Розділ

Наукові статті