P-V центри в приповерхневих шарах алмазу С(111)

Автор(и)

  • О.Ю. Ананьїна Запорізький національний університет
  • О.В. Северина Кафедра фізики напівпровідників, Запорізький національний університет

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.48-52

Ключові слова:

поверхня алмазу С(111), P-V центр, квантово-хімічне моделювання

Анотація

У роботі за допомогою квантово-хімічного моделювання досліджується залежність спінових станів, геометричних, електронних та енергетичні характеристик P-V центру від його місцезнаходження на поверхні алмазу С(111). Встановлено, що поверхня алмазу С(111) впливає на геометричні параметри, зарядові характеристики і розподіл спінової густини P-V центрів.

Посилання

[1] R. J. Nemanich, Material research society 39, 490 (2014).
[2] N. Mizuochi et al., Nature photonics 6, 299 (2012).
[3] D.-B. Kang, Bulletin of the Korean Chemical Society 19(6), 628 (1998).
[4] C. X. Yan et al., Appl. Surf. Science 255(7), 3994 (2009).
[5] J. P. Goss et al., Phys. Rev. B 72, 035214 (2005).
[6] T. Miyazaky, S. Yamasaki, Phys. Rev. B 376-377, 304 (2006).
[7] M. Katagiri et al., Phys. Stat. sol. (a) 11, 2451 (2004).

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-03-15

Як цитувати

Ананьїна, О., & Северина, О. (2016). P-V центри в приповерхневих шарах алмазу С(111). Фізика і хімія твердого тіла, 17(1), 48–52. https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.48-52

Номер

Розділ

Наукові статті