Еліпсометричні дослідження окислення природного сколу селеніду цинку
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.3.481-486Ключові слова:
еліпсометрія, окислення поверхні, селенід цинкуАнотація
Проведено тривалі (до одного року) вимірювання еліпсометричних параметрів світла, відбитого від поверхні свіжовиготовлених сколів селеніду цинку, в атмосферних умовах. Виявлено, що процес взаємодії поверхні сколів із повітрям складається з двох етапів. На першому етапі тривалістю до трьох тижнів формується шар із оптичними сталими, що дещо менші за оптичні сталі селеніду цинку, із товщиною до 7 нм. На другому етапі від одного місяця до року проявляється зовнішній прозорий шар із показником заломлення приблизно 1,4 і товщиною до 2,5 нм. Здогадно, зовнішній шар містить суміш нестійких оксидів і повітря.
Посилання
I. V. Korneeva, A. V. Novoselova, Zh. neorg. himii 5(11), 2265 (1960).
N.D. Stepanova, I.P. Kalinkin, V.A. Sokolov, Izv. AN SSSR. Neorganicheskie materialy 11(6), 1030 (1975).
M.P. Kulakov, A.V. Fadeev,Neorg. materialy 19(3), 347 (1983).
Ju.A. Zagorujko, Modifіkacіja fіzichnih vlastivostej shirokozonnih napіvprovіdnikіv A2V6 dlja otrimannja termostabіl'nih elementіv ta geterostruktur dlja optoelektronіki. Avtoreferat dissertacii dokt. fіz.-matnauk, Harkіv 2003.
V.A. Odarich, O.Ja. Koflik, Z.Z. Janchuk,Ukr. fіz. zh. 42(1), 88 (1997).
O.V.Vakulenko, V.A.Odarich, T.A. Pogrebnjak,Ukr. fіz. zhurnal 39(9/10), 998 (1994).
D.E. Aspnes, A.A. Studna, Phys. Rev.B, 27(2), 985 (1983).
V.A. Makara, V.A. Odarich, T.Ju. Kepich, T.D. Preobrazhenskaja, O.V. Rudenko, Tehnologija i konstruirovanie v jelektronnoj apparature 3(81), 40 (2009).
M. Aven, D.T.F. Marple, B. Segall, J. Appl. Phys. Suppl. 32(10),2261 (1961).
D.T.F. Marple, J. Appl. Phys. Suppl 35(3), 539 (1964).
S. Adashi, T. Tagushi, Phys. Rev. B, 43(12), 9569 (1991).
D.E. Aspnes, J.B. Theeten, F. Hottler, Phys. Rev. B., 20(8), 3292 (1979).
L.A. Golovan', V.Ju. Timoshenko, P.K. Kashkarov UFN, 177(6), 619 (2007).
D. Vudlaf, T. Delchar,Sovremenye metody issledovanija poverhnosti (Mir, Moskva, 1989).
X. W. Sum, H. S. Kwok, J. Appl. Phys. 86(1), 408 (1999).
