Кристалографічні особливості наноструктур SnTe на полііміді
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.1.79-82Ключові слова:
телурид олова, атомно-силова мікроскопія, кристалографіяАнотація
Виконано статистичний аналіз кристалографічних кутів елементів поверхні плівок телуриду олова, осаджених на підкладки з полііміду методом відкритого випаровування у вакуумі. Аналіз зображень, одержаних атомно-силовим мікроскопом, виявив вплив технологічних факторів на особливості форми та просторової орієнтації поверхневих острівців. Показано, що острівці є куполоподібними зі змінюваним відношенням їх висоти до латерального діаметру. Виявлено слабку залежність симетрії острівців від використаних умов осадження.
Посилання
K. Alchalabi, D, Zimin. G. Kostorz and H. Zogg Phys. Rev. Lett. 90, 026104 (2003).
Xu Ying, Al-Salim Najeh, M. Hodgkiss Justin and D. Tilley Richard Cryst. Growth Des. 11 (7), 2721 (2011).
G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins, A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Science. 279, 353 (1998).
V.M. Samsonov, S.S. Harechkin, R.P. Barbasov Izvestija RAN, Serija fizicheskaja tom 70(7), 1004 (2006).
V.M. Samsonov, S.D. Murav'ev, M.Ju. Pushkar' Poverhnost'. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovanija (11), 40 (2005).
