Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.361-364Ключові слова:
електроніка, ВІС, Польові транзистори Шотткі, моделювання, GaAsАнотація
В даній статті описані досліджені основи і фізичні механізми, арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі. Проведено комп’ютерне моделювання ПТШ з p-каналом: розподілів потенціалу, об’ємного заряду, струму в каналі та його характеристик. На основі проведеного моделювання відкрито новий ефект в ПТШ, а саме екранування об’ємного заряду, що суттєво впливає на струмовий розподіл в каналі.
Посилання
T. Mizutani, Photo-Induced Current Spectroscopy for Normally-Off GaAs MESFETs (Japanese Journal of Applied Physics, 1982)
V.I Sen’ko, M.V Panasenko, Electronics and microcircuitry (Oberehy, Kyiv, 2000)
M. Shur, Modern devices based on GaAs (Mir, Moscow, 1991)
F. Tian, E. F. Chor, Thin Solid Films 518(24), 121–124 (2010).
M. J. Sikder, P. Valizadeh, Solid-State Electronics 89, 105–110 (2013).
V. A. Moskalyuk, D. I. Timofeev, A. V. Fedyaj, Ultrafast electronic devices. Kyiv: NTUU KPI, 480 (2012).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
