Температурна залежність краю поглинання легованих кристалі арсеніду галію
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.288-293Ключові слова:
Волоконно-оптичний датчик температури, Леговані цинком кристали GaAs, Оптичне пропускання легованих кристалів GaAsАнотація
Температурна залежність фундаментального краю поглинання легованих цинком кристалів GaAs досліджувалася у діапазоні від 300 до 560 К. Температурна залежність краю фундаментального поглинання може бути представлена моделлю Бозе-Ейнштейна. Аналіз експериментальних даних дав нам можливість запропонувати функцію двох змінних (енергії фотонів та температури) для коефіцієнта поглинання у легованих кристалах у зоні краю поглинання.
Посилання
John D. Cressler, H. Alan, Technology & Engineering (Mantooth Extreme Environment Electronics CRC Press, 2017).
Hamad Jappor, European Journal of Scientific Research 59, 264 (2011).
Igor Chychura, Fiber-Optic Temperature Sensors with Chalcogenide Glass and Crystalline Sensing Element (2019) (https://doi.org/10.5772/intechopen.89207).
M. Beaudoin, & A. DeVries, & S.R. Johnson, & H. Laman, & Tom Tiedje, Applied Physics Letters 70, 3540 (1997) (https://doi.org/10.1063/1.119226).
J. Akinlami, & A. Ashamu, Journal of Semiconductors 34, 032002 (2013) (https://doi.org/10.1088/1674-4926/34/3/032002).
C.D. Thurmond, J. Electrochem. Soc. 122, 1133 (1975) (https://doi.org/10.1149/1.2134410).
M.B. Panish and H.C. Casey, J. Appl. Phys. 40, 163 (1969) (https://doi.org/10.1063/1.1657024).
Tauc, Progr. Semiconductors 9, 89 (1965).
M. Beaudoin, Appl. Phys. Lett. 70, 3540 (1997) (https://doi.org/10.1063/1.119226).
Y. Zhao, M. Rong, I. Liao, IEEE Sensors Journal 3(4), 400 (2003).
G.D. Cody, Semiconductors and Semimetals, edited by J. I. Pankove (Academic, 1984).
Katsuhiro Uesugi, Appl. Phys. Lett. 76, 1285 (2000) (https://doi.org/10.1063/1.126010).
Yoshida Junichi et al, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 371 (2003) (https://doi.org/10.1143/JJAP.42.371).
Ikuo Suemune, & K. Uesugi, Appl. Phys. Lett. 77, 3021 (2000) (https://doi.org/10.1063/1.1322633).
S.R. Johnson and T. Tiedje, Journal of Applied Physics 78, 5609 (1995) (https://doi.org/10.1063/1.359683).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
