Вплив іонізуючого випромінювання на структуру, електрофізичні і оптичні характеристики кристалів Cd1-хZnхTe
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.19.3.239-245Ключові слова:
тверді розчини Cd1-xZnxTe, іонізуюче випромінювання, структура, рентгенівські дослідження, оптичне пропускання, електрофізичні властивостіАнотація
На основі рентгенівських досліджень були оптимізовані умови вирощування кристалів Cd1-хZnxTe (0,02 ≤ х ≤ 0,1) високої структурної досконалості. В одержаних кристалах досліджені зміни структури, електричних параметрів і оптичного пропускання при опромінені зразків g-, b- випромінюванням. При опромінені g-квантами джерела 60Со дозою Ф ≥ 105 Гр спостерігалося незначне погіршення структури і оптичного пропускання зразків, збільшення концентрації дірок р і зменшення рухливості носіїв заряду m в кристалах р-типу. Протягом 30 - 40 діб значення р і m релаксували до вихідних значень. Зміни структурної досконалості, оптичного пропускання і електричних параметрів зразків, опромінених електронами, були більш суттєвими.
Посилання
[1] E. Bolotnikov, J. Butcher, G. S. Camarda, Y. Cui, G. De Geronimo, J. Fried, P. M. Fochuk, et al., IEEE Trans. Nucl. Sci., 60(4) (2013) 2875.
[2] Mohd. Shkir, V. Ganesh, S. AlFaify, A. Black, E. Dieguez, G. Bhagavannarayana, J. Alloys Compd., 686, (2016) 438.
[3] P. Fochuk, Y. Nykoniuk, Z. Zakharuk, O. Kopach et al., IEEE Trans. Nucl. Sci., 64(10) (2017) 2725.
A. Cavallini, B. Fraboni, W. Dusi, M. Zanarini, P. Siffert, Appl. Phys. Lett. 77(20) (2000) 3212.
B. Fraboni, A. Cavallini, N. Auricchio, et al, Semiconductor Sci. and Techn., 21(8) (2006) 1034.
[4] L. N. Davydov et al. Bull of KhNU, 627, Iss. 'Physics', 1(26) (2005) 3.
[5] K. D. Glynchuk, N. M. Lytovchenko, Y. M. Naseka, A. V. Prokhorovych et al., Ukr. Phys. Journ., 55(7) (2010) 777.
[6] N. M. Lytovchenko, Y. N. Naseka, A. V. Prokhorovych et al. Optoelectronics and Semicond. Tech., 45, (2010) 54.
[7] Ye. S. Nykonyuk, Z. I. Zakharuk, A. I. Rarenko, et al., J. Nano- and Electron. Phys., 7(4) (2015) 04054 .
[8] V. V. Lider, Zavodskaya laboratoria, Diagnostika materialov, 73(12) (2007).
[9] O. N. Krylyuk, I. M. Rarenko, Z. I. Zakharuk, Patent pf Ukraine No 1773083, date: 1.07.1992 reg. no.: 4780730 (1990).
[10] S. G. Dremlyuzhenko, Z. I. Zakharuk, A. I. Savchuk, and P. M. Fochuk, Phys. stat. sol. (b)., 244(5) (2007) 1650.
[11] S. A. Kshevetsky, Y. P. Stetsko, I. M. Fodchuk et al., Ukr. Phys. Journ., 35(3) (1990) 344.
[12] Z. I. Zakharuk, A. I. Rarenko, E. V. Rybak, et al., Physics and Chemistry of Solid State, 8(1) (2007) 25.
[2] Mohd. Shkir, V. Ganesh, S. AlFaify, A. Black, E. Dieguez, G. Bhagavannarayana, J. Alloys Compd., 686, (2016) 438.
[3] P. Fochuk, Y. Nykoniuk, Z. Zakharuk, O. Kopach et al., IEEE Trans. Nucl. Sci., 64(10) (2017) 2725.
A. Cavallini, B. Fraboni, W. Dusi, M. Zanarini, P. Siffert, Appl. Phys. Lett. 77(20) (2000) 3212.
B. Fraboni, A. Cavallini, N. Auricchio, et al, Semiconductor Sci. and Techn., 21(8) (2006) 1034.
[4] L. N. Davydov et al. Bull of KhNU, 627, Iss. 'Physics', 1(26) (2005) 3.
[5] K. D. Glynchuk, N. M. Lytovchenko, Y. M. Naseka, A. V. Prokhorovych et al., Ukr. Phys. Journ., 55(7) (2010) 777.
[6] N. M. Lytovchenko, Y. N. Naseka, A. V. Prokhorovych et al. Optoelectronics and Semicond. Tech., 45, (2010) 54.
[7] Ye. S. Nykonyuk, Z. I. Zakharuk, A. I. Rarenko, et al., J. Nano- and Electron. Phys., 7(4) (2015) 04054 .
[8] V. V. Lider, Zavodskaya laboratoria, Diagnostika materialov, 73(12) (2007).
[9] O. N. Krylyuk, I. M. Rarenko, Z. I. Zakharuk, Patent pf Ukraine No 1773083, date: 1.07.1992 reg. no.: 4780730 (1990).
[10] S. G. Dremlyuzhenko, Z. I. Zakharuk, A. I. Savchuk, and P. M. Fochuk, Phys. stat. sol. (b)., 244(5) (2007) 1650.
[11] S. A. Kshevetsky, Y. P. Stetsko, I. M. Fodchuk et al., Ukr. Phys. Journ., 35(3) (1990) 344.
[12] Z. I. Zakharuk, A. I. Rarenko, E. V. Rybak, et al., Physics and Chemistry of Solid State, 8(1) (2007) 25.
##submission.downloads##
Опубліковано
2019-10-03
Як цитувати
Фочук, П. М., Шафранюк, В. П., Раренко, Г. І., Канак, А. І., Никонюк, Є. С., & Захарук, З. І. (2019). Вплив іонізуючого випромінювання на структуру, електрофізичні і оптичні характеристики кристалів Cd1-хZnхTe. Фізика і хімія твердого тіла, 19(3), 239–245. https://doi.org/10.15330/pcss.19.3.239-245
Номер
Розділ
Наукові статті
