Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.165-170Ключові слова:
телурид кадмію, сульфід кадмію, неімпульсне магнетронне розпилення на постійному струмі, жорсткий ультрафіолет, тонкі плівки.Анотація
Досліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов’язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов’язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.
Посилання
A. Bosio, N. Romeo, S. Mazzamuto, V Canevari, Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 52(4), 247 (2006) (doi: 10.1016/j.pcrysgrow.2006.09.001).
X. Wu, J.C. Keane, R.G. Dhere, C. DeHart, D.S. Albin, A. Duda, T.A. Gessert, S. Asher, D.H. Levi, P. Sheldon, Proceedings of the 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Dover, 2001). P. 995.
G.S. Khrypunov, G.I. Kopach, R.V. Zaitsev, A.І. Dobrozhan, M.M. Harchenko, Journal of Nano- and Electronic Physics 9(2), 02008 (2017) (doi: 10.21272/jnep.9(2).02008).
D.A. Kudii, М.G. Khrypunov, R.V. Zaitsev, A.L. Khrypunova, Journal of Nano- and Electronic Physics 10(3), 03007 (2018) (doi: 10.21272/jnep.10(3).03007).
A. Polman, M. Knight, E.C. Garnett, B. Ehrler, W.C. Sinke, Science 352, 6283 (2016) (doi:10.1126/science.aad4424).
B.T. Boiko, G.I. Kopach, V.R. Kopach, G.S. Khrypunov, Solar Energy 21(1), 123 (1991).
M.V. Kirichenko, R.V. Zaitsev, A.I. Dobrozhan, G.S. Khrypunov, M.M. Kharchenko, IEEE International Young Scientists Forum on Applied Physics and Engineering (Lviv, 2017), P.108