Магнітна сприйнятливість ниткоподібних кристалів Si0,97Ge0,03 опромінених протонами
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.185-189Ключові слова:
кремній-германій, ниткоподібні кристали, протонне опромінення, термічний відпал,, магнітна сприйнятливістьАнотація
Методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі, з використанням золота в якості ініціатора росту, вирощено ниткоподібні кристали Si0,97Ge0,03 поперечними розмірами 40 ± 2 мкм. Досліджено вплив протонного опромінення дозами до 1∙1017 p+/cm-2 та наступних термічних обробок за температур 200 – 500 оС на магнітну сприйнятливість цих кристалів. Залежності магнітної сприйнятливості від напруженості магнітного поля ниткоподібних кристалів Si0,97Ge0,03, опромінених протонами, описано в рамках моделі ланжевенівського парамагнетизму атомів та пояснено утворенням дефектів вакансійного типу. Виявлено підвищення радіаційної стійкості кристалів Si0,97Ge0,03 після комбінованої дії опромінення та наступних термічних обробок.
Посилання
A.A. Druzhinin, I.I. Mar'jamova, E.N. Lavitskaja, A.P. Kutrakov, Datchiki i sistemy 6, 2 (2001).
Ja.I. Lepih, Ju.E. Gordienko, S.V. Dzjadevich, A.A. Druzhinin, A.A. Evtuh, S.V. Lenkov, V.G. Mel'nik, V.A. Romanov, Stvorennja mіkroelektronnih sensorіv novogo pokolіnnja dlja іntelektual'nih sistem (Astoprint, Odesa, 2010).
L. Vines, E. Monakhov, A. Kuznetsov, R. Kozłowski, P. Kaminski, B. Svensson, Phys. Rev. B. 78(8), 085205 (2008). (doi: 10.1103/PhysRevB.78.085205).
A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskij, Ju.N. Hoverko, P.G. Litovchenko, N.T. Pavlovskaja, Ju.V. Pavlovskij, V.M. Cmoc', V.Ju. Povarchuk, Tehnologija i konstruirovanie v jelektronnoj apparature 1-2 (90), 10 (2011). (doi:dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51754).
N.T. Pavlovskaya, P.G. Litovchenko, Yu.O. Ugrin, Yu.V. Pavlovskiy, I.P. Ostrovskii, K. Rogacki, Modern Electronic Materials 2(3), 85 (2016) (doi: 10.1016/j.moem.2016.12.004).
Yu.V. Pavlovskyy, G. Luka, I.P. Ostrovskyy, N.T. Pavlovska, Physics and Chemistry of Solid State 19 (1), 14 (2018). (doi: 10.15330/pcss.19.1.14-20).
P.G. Litovchenko, N.T. Pavlovs'ka, Ju.V. Pavlovs'kij, І.P. Ostrovs'kij, Aktual'nі problemi fіziki, matematiki ta іnformatiki. Shhorіchnij naukovij zhurnal 6, 2 (2014).
A.O. Druzhinіn, S.S. Varshava, І.P. Ostrovs'kij, N.S. Ljah, S.M. Matvіenko, Elektronіka 513, 59 (2004). (doi:ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/35773).
A.A. Druzhinin, I.P. Ostrovskii, Yu.M. Khoverko, K. Rogacki, P.G. Litovchenko, N.T. Pavlovska, Yu.V. Pavlovskyy, Yu.O. Ugrin, Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 393 (1), 310 (2015). (doi:10.1016/j.jmmm.2015.05.073)
V.M. Tsmots, P.G. Litovchenko, N.T. Pavlovska, Yu.V. Pavlovskyy, I.P. Ostrovskyy, Semiconductors. 44 (5), 623 (2010). (doi: link.springer.com/article/10.1134/S1063782610050131).
E.F. Ferrari, F.C.S. da Silva, M. Knobel, Phys. Rev. B. 56 (10), 6086 (1997).
F. Wiekhorst, E. Shevchenko, H. Weller, J. Kötzler, Phys. Rev. B. 67 (22), 224416 (2003).
G.P. Gajdar, Jelektronnaja obrabotka materialov 48(1), 93 (2012).
V.I. Varnina, A.A. Groza, P.G. Litovchenko, L.S. Marchenko, M.I. Starchik, G.G. Shmatko, Vzaimodejstvie izluchenij s tverdym telom: materialy 9-oj Mezhdunarodnoj konferencii (Minsk, 2011), C. 110.
I.V. Antonova, A.V. Vasil'ev, V.I. Panov, S.E. Shajmeev, FTP 23(6), 1076 (1989).
Deren Yang, Jia Chu, Jin Xu, Duanlin Que, Journal of Applied Physics. 93 (11), 8926 (2003) (doi.org/10.1063/1.1569978).
A.P. Dolgolenko, P.G. Litovchenko, M.D. Varencov, V.F. Lastoveckij, G.P. Gajdar, A.P. Litovchenko, Voprosy atomnoj nauki i tehniki. 4, 175 (2006). (doi: dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80227).
A.P. Dolgolenko, G.P. Gajdar, M.D Varencov, P.G. Litovchenko, Voprosy atomnoj nauki i tehniki. 2, 151 (2009). (doi: dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111101).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
