Вимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Хармана

Автор(и)

  • Ю.В. Тур Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
  • Ю.В. Павловський Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
  • І. Вірт Жешувський університет

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.306-310

Ключові слова:

тонкі плівки, телурид свинцю, термоелектрична добротність, метод Хармана, імпульсно-лазерне осадження.

Анотація

Для аналізу вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідників, використано імпульсний метод Хармана Запропоновано новий підхід для визначення термоелектричної добротності тонких напівпровідникових плівок в інтервалі температур (300 ÷ 500) К шляхом безпосереднього вимірювання ряду параметрів електричного кола. Детально описано теорію методу, застосування його у методиці вимірювань. Досліджено залежності електричних величин, зокрема напруги - V(t), від часу при різних значеннях імпульсів струму для тонких плівок PbTe<Tl>, вирощених імпульсним лазерним осадженням. 

Посилання

B. Beltrán-Pitarch, J. Prado-Gonjal, A.V. Powell, J. García-Cañadas, Journal of Applied Physics 125(2), 025111 (2019) (https://doi.org/10.1063/1.5077071).

L. Liang, X. Si-chao, L. Guang-hai, Chinese Journal of Chemical Physics 29(3), 365 (2016) (https://doi.org/10.1063/1674-0068/29/cjcp1509194).

A. Satake, H. Tanaka, T. Ohkawa, T. Fujii, I. Terasaki, Journal of Applied Physics 96(1), 931 (2004) (https://doi.org/10.1063/1.1753070).

E.E. Castillo, C.L. Hapenciuc, T. Borca-Tasciuc, Review of Scientific Instruments 81(4), 044902 (2010) (https://doi.org/10.1063/1.3374120).

B. Kwon, Seung-Hyub Baek, S. Keun Kim, Jin-Sang Kim, Review of Scientific Instruments 85(4), 045108 (2014) (https://doi.org/10.1063/1.487041).

D. Olaya, Chien-Chih Tseng, Wen-Hao Chang, Wen-Pin Hsieh, Lain-Jong Li, Zhen-Yu Juang, Y. Hernández, Journal Flat Chem. 14(1), 100089 (2019) (https://doi.org/10.1016/j.flatc.2019.100089).

Zhen-Yu Juang, Chien-Chih Tseng, Y. Shi, Wen-Pin Hsieh, S. Ryuzaki, N. Saito, Chia-En Hsiung, Wen-Hao Chang, Y. Hernandez, Y. Han, K. Tamada, Lain-Jong Li, Journal Nano Energy 38(3), 385 (2017) (https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2017.06.004).

J. de Boor, V. Schmidt, Applied Physics Letters 99(2), 022102 (2011) (https://doi.org/10.1063/1.3609325).

T. Favaloro, A. Ziabari, J.-H. Bahk, P. Burke, H. Lu, J. Bowers, A. Gossard, Z. Bian, A. Shakouri, Applied Physics Letters 116(3), 034501 (2014) (https://doi.org/10.1063/1.4885198).

Y. Hasegawa, M. Otsuka, AIP Advances 8(2), 075222 (2018) ( https://doi.org/10.1063/1.5040181).

##submission.downloads##

Опубліковано

2019-10-19

Як цитувати

Тур, Ю., Павловський, Ю., & Вірт, І. (2019). Вимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Хармана. Фізика і хімія твердого тіла, 20(3), 306–310. https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.306-310

Номер

Розділ

Наукові статті