Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications

С.П. Новосядлий; Т.Г. Бенько; І.Т. Когут

doi:10.15330/pcss.20.3.311-317

Автор(и)

С.П. Новосядлий ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Т.Г. Бенько ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
І.Т. Когут ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.311-317

Ключові слова:

арсенід галію, польовий транзистор,, тепловий опір, електрофізичне діагностування

Анотація

В даній статті проаналізовано структуру арсенід галієвого ПТШ на кремнієвій підкладці, придатного для локальної інтеграції в КНІ-технології та метод його електрофізичного діагностування на основі змін теплового опору RT. Відомо, що теплопровідність GaAs в 3 - 4 рази є гіршою порівняно кремнієм. Щоб усунути цей недолік було розроблено технологію формування приладних швидкісних GaAs-структур на поверхні кремнієвої підкладки.

Посилання

S.P. Novosyadlyj, Sub- i nanomikronna texnologiya struktur VIS (Misto NV, Ivano-Frankivsk, 2010).

S.P. Novosyadlyj, A.I. Terleczkyj, Diagnostyka submikronnyx struktur VIS: monografiya (Simyk, Ivano-Frankivsk, 2016).

D.Y. Zaks, Parametr teplovogo rezhyma poluprovodnykovx mykrosxem (Radyoy svyaz, Moskva, 1983).

C. Canali, F. Chiussi, G. Donzelli, E. Zanoni, Microelectronics Reliability 29(2), 117 (1986).

A. L. Zaxarov, E. Y. Asvadurova, Raschet teplovx parametrov poluprovodnykovx pryborov (Radyoy svyaz, Moskva, 1989).

S.P. Novosyadlyj, B.S. Dzundza, V.M. Gryga, M.V. Kotyk, S.V. Novosyadlyj, V.I. Mandzyuk, Sxidnoyevropejskyj zhurnal peredovy texnologij 5/5/89, 26 (2017).

Yu.M. Kalnybolotskyj, Yu.V. Korolev, G.Y. Bogdan, B.C. Rogoza, Raschet konstruyrovany mykrosxem (Vyshha shkola, Kyyiv, 1983).

I.T. Kogut, V.I. Holota, A.A. Druzhinin, V.V. Dovhiy, Journal of Nanoresearch 39, 228 (2016) (10.4028/www.scientific.net/JNano R. 39.228).