Самоузгоджений розрахунок потенціального профілю GaN/AlN резонансно-тунельних структур

Автор(и)

  • І.В. Бойко Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя
  • M.В. Ткач Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • Ю.О. Сеті Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.18.3.288-296

Ключові слова:

квантовий каскадний детектор, резонансно-тунельна структура, п’єзоелектрична поляризація, спонтанна поляризація, потенціальний профіль

Анотація

Для резонансно-тунельної структури з GaN – потенціальними ямами та AlN – потенціальними бар’єрами виконано розрахунок внутрішніх полів, спричинених виникаючими у наноструктурі п’єзоелектричною та спонтанною поляризаціями.
У моделі ефективних мас для електрона та моделі діелектричного континууму з використанням методу скінченних різниць знайдено самоузгоджені розв’язки системи рівнянь Шредінгера та Пуассона з урахуванням внеску п’єзоелектричної та спонтанної поляризацій.
На основі знайдених розв’язків системи рівнянь Шредінгера та Пуассона для резонансно-тунельної структури, що слугувала каскадом експериментально реалізованого квантового каскадного детектора, виконано розрахунок її потенціального профілю та електронного енергетичного спектру. Встановлено, що розрахована величина детектованої енергії відрізняється від експериментально отриманої не більше ніж на 3 %.

Посилання

D. Hofstetter, F.R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, and K. Kohler, Appl. Phys. Lett. 93, 221106 (2008).

A. Harrer, B. Schwarz, R. Gansch, P. Reininger, H. Detz, T. Zederbauer, A. Maxwell Andrews, W. Schrenk, and G. Strasser, Appl. Phys. Lett. 105, 171112 (2014).

P. Reininger, T. Zederbauer, B. Schwarz, H. Detz, D. MacFarland, Appl. Phys. Lett. 107, 081107 (2015).

I.V. Boyko, Ukr. J. Phys. 61(1), 66 (2016).

M.V. Tkach, Ju.O. Seti, I. V. Boyko, and O.M. Voitsekhivska, Condens. Matter Phys. 16, 33701 (2013).

Ju. O. Seti, M. V. Tkach, M. V. Pan'kiv, Condens. J. Phys. Stud. 20(1/2), 1702 (2016).

S. Sakr, E. Giraud, A. Dussaigne, M. Tchernycheva, N. Grandjean, and F. H. Julien, Appl. Phys. Lett. 100, 181103 (2012).

S. Sakr, E. Giraud, M. Tchernycheva, N. Isac, P. Quach, E. Warde, N. Grandjean, and F. H. Julien, Appl. Phys. Lett. 101, 251101 (2012).

S. Sakr, P. Crozat, D. Gacemi, Y. Kotsar, A. Pesach, P. Quach1, N. Isac, M. Tchernycheva, Appl. Phys. Lett. 102, 011135 (2013).

Y. Qu, S. L. Ban, J. Appl. Phys. 110, 013722 (2011).

Z. Gu, S. L. Ban, D. D. Jiang, and Y. Qu, Condens, J. Appl. Phys. 121, 035703 (2017).

B.K. Ridley, W.J. Schaff and L.F. Eastman, J. Appl. Phys. 94, 3972 (2003).

V. Fiorentini, F. Bernardini, O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 80, 1204 (2002).

O Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A Link, M Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F Bernardini, V Fiorentini, V Tilak, J. Phys.: Condens. Matter. 14(13), 3399 (2002).

S. Saha, J. Kumar, J. Comput. Electron. 15(4), 1531 (2016).

A.A. Samarskii, The Theory of Difference Schemes (Marcel Dekker, New York, 2001).

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-09-15

Як цитувати

Бойко, І., Ткач . M., & Сеті, Ю. (2017). Самоузгоджений розрахунок потенціального профілю GaN/AlN резонансно-тунельних структур. Фізика і хімія твердого тіла, 18(3), 288–296. https://doi.org/10.15330/pcss.18.3.288-296

Номер

Розділ

Наукові статті