Особливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалах
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.18.3.376-381Ключові слова:
рідкі кристали, високоінтегральний контур, автоматизована система проектування, нематичні рідкі кристали, твіст-ефектАнотація
Кількісні значення електричного потенціалу генерування елементів субмікронних структур ВІС в робочому режимі можуть бути експериментально визначені електрооптичним ефектом в нематичному рідкому кристалі. Цей метод стосується методів електронної діагностики структур ВІС, що використовують ТК, і відноситься до САПР системи ВІС.
Посилання
S.P. Novosyadlyj, AI Terletsky, Diagnosis of submicron structures WSI (Ivano-Frankivsk, 2016).
S.P. Novosyadlyj, East European Journal of advanced technologies 7, 26 (2009).
Patent N68204 (USA). Method of formation of heat resistance of multilayer metallization of submicron structures. Inventor: S.P Novosyadlyi, R.B. Atamanyuk, V.M. Vivcharyk Proprietor : Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, 57 Shevchenko Str., 76018 Ivano-Frankivsk.
N.P. Hrytsenko, LCD elektronnaya promyshlynot 95 (1992).
G. Aszodat, J / Isabon, J Janosy 12, 1127 (1981).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
