Розрахунок теплопровідності плівок Si1-xGex з неоднорідним складом
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.19.1.48-52Ключові слова:
коефіцієнт теплопровідності, плівка, кремній, германій, рівняння БольцманаАнотація
З використанням рівняння Больцмана в наближенні часу релаксації розраховано температурні залежності коефіцієнта теплопровідності кремній-германієвих плівок з неоднорідним розподілом германію по товщині структури. Показано, що теплопровідність плівок Si1-xGex зменшується зі збільшенням ступеня їх неоднорідності. Проаналізовано механізми фононного розсіювання в досліджуваних плівках та встановлено домінуючі процеси, якими визначаються процеси теплоперенесення в області високих і низьких температур.
Посилання
[1] Y. Li, H. Jacobson, B. Hansson, M. Mokhtari, and T. Lewin, II International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology Proceedings (IEEE, Beijing, China , 2010), p. 20.
[2] G. Ghione, Semiconductor Devices for High-Speed Optoelectronics (Cambridge University Press, New York, 2009).
[3] A. Yakimov, V. Kirienko, V. Armbrister and A. Dvurechenskii, Nanoscale Research Letters, 8, 1 (2013).
[4] D.-W. Kim, T. Kim and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices, 50(9), 1823 (2003).
[5] M. Grydlik, F. Hackl, H. Groiss, M. Glaser, A. Halilovic, T. Fromherz, W. Jantsch, F. Schäffler, and M. Brehm, ACS Photonics, 3(2), 298 (2016).
[6] L. Jia, G.Fan, W. Zi, X. Ren, X. Liu, B. Liu, S. Liu, Solar Energy, 144, 635 (2017).
[7] J. Lu, R. Guo, and B. Huang, Appl. Phys. Lett., 108(14), 141903 (2016).
[8] M. Upadhyaya, S. Nazanin Khatami and Z. Aksamija, Journal of Materials Research, 30(17), 2649 (2015).
[9] A. Samarelli, L. Ferre, S. Cecchi, J. Frigerio, T. Etzelstorfer, E. Müller, Y. Zhang, J. R. Watling, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. P. Hague, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul, Journal of Applied Physics, 113(23), 233704 (2013).
[10] D. T. Morelli and J. P. Heremans, Physical Review B., 66(19), 195304 (2002).
[11] S. Yi and Ch. Yu Journal of Applied Physics, 117(3), 035105 (2015).
[2] G. Ghione, Semiconductor Devices for High-Speed Optoelectronics (Cambridge University Press, New York, 2009).
[3] A. Yakimov, V. Kirienko, V. Armbrister and A. Dvurechenskii, Nanoscale Research Letters, 8, 1 (2013).
[4] D.-W. Kim, T. Kim and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices, 50(9), 1823 (2003).
[5] M. Grydlik, F. Hackl, H. Groiss, M. Glaser, A. Halilovic, T. Fromherz, W. Jantsch, F. Schäffler, and M. Brehm, ACS Photonics, 3(2), 298 (2016).
[6] L. Jia, G.Fan, W. Zi, X. Ren, X. Liu, B. Liu, S. Liu, Solar Energy, 144, 635 (2017).
[7] J. Lu, R. Guo, and B. Huang, Appl. Phys. Lett., 108(14), 141903 (2016).
[8] M. Upadhyaya, S. Nazanin Khatami and Z. Aksamija, Journal of Materials Research, 30(17), 2649 (2015).
[9] A. Samarelli, L. Ferre, S. Cecchi, J. Frigerio, T. Etzelstorfer, E. Müller, Y. Zhang, J. R. Watling, D. Chrastina, G. Isella, J. Stangl, J. P. Hague, J. M. R. Weaver, P. Dobson, and D. J. Paul, Journal of Applied Physics, 113(23), 233704 (2013).
[10] D. T. Morelli and J. P. Heremans, Physical Review B., 66(19), 195304 (2002).
[11] S. Yi and Ch. Yu Journal of Applied Physics, 117(3), 035105 (2015).
