Дослідження поверхні Ван-дер-Ваальса вздовж шару кристалів TlInS2 і TlInS2 <0,1%V>, опромінених γ-квантами
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.27.2.279-283Ключові слова:
атомна силова мікроскопія, поверхня Ван-дер-Ваальса, гістограма, профілограма, нанорозмірАнотація
Метою даного дослідження є визначення фундаментальних фізичних закономірностей нанопластичної деформації на поверхнях гамма-опромінених шаруватих кристалів TlInS2 і 0,1% легованого ванадієм TlInS2 та дослідження їх загальних кінетичних процесів, які впливають на структурування поверхні на нанорозмірі. Це дослідження зосереджено на закономірностях формування гофрованих і дислокованих структур у поверхневих шарах та впливі кінетики поверхневих структур у різних середовищах. Методом атомно-силової мікроскопії визначено геометричні розміри та профілі структурних утворень ван-дер-ваальсових поверхневих шарів шаруватих кристалів TlInS2 та TlInS2 <0,1%V>, опромінених γ-квантами. У зв’язку з природою утворення нитевидних і гофрованих елементів, як на початковій, так і на кінцевій стадії спостерігається деформація поверхневих шарів, яка супроводжується природним процесом окислення. Проведено аналіз факторів, що визначають характеристики пластичної течії.
Посилання
S.Ozdemir, M.Bucurgat. Characteristics of traps in TlInS2 single crystals. Current Applied Physics, 13(9), 1948 (2013); https://doi.org/10.1016/j.cap.2013.07.020.
R.M. Sardarly, F.T. Salmanov, N.A. Alieva, R. M. Abbasli. Impedance spectroscopy of (TlGaSe2)1−x(TlInSe2)x solid solutions in radio frequency range, Modern Physics Letters B, 34(11), 2050113 (2020); https://doi.org/10.1142/S0217984920501134.
А.М. Pashayev, B.Q. Tagiev, R.F. Мekhtiev, R.A. Ibragimov, A.A. Safarzade. The process of self-organization of the cleaved surface of layered crystals of the AIIIBVI type, News of Baku University, Physics and mathematics science series, 1, 125 (2014).
А.М. Pashayev, B.Q. Tagiev, R.F. Мekhtiev. On the mechanisms of formation of the van der Waals surface of layered crystals of the GaSe and GaSe type, Journal of Qafqaz university, Physics, 2(1), 25(2014).
A.Ruzsinszky, J.P. Perdew, J.T. Gábor, I. Csonka, J. M. Pitarke. Van der waals coefficients for nanostructures: fullerenes defy conventional wisdom, Phys. Rev. Lett., 109, 233203 (2012); https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.233203.
R. Xu, J. Guo, Sh. Mi, H. Wen, F. Pang, W. Ji, Z. Cheng, Advanced atomic force microscopies and their applications in two dimensional materials: a review, Materials Futures, 1(3), 032302, (2022). https://doi.org/10.3390/polym17192692
Q. Liu, Y. Fu, Z. Qin, Y. Wang, Sh. Zhang, M. Ran, Progress in the applications of atomic force microscope (AFM) for mineralogical research, 170, 103460 (2023). https://doi.org/10.1016/j.micron.2023.103460
A.F Qasrawi, N.M Gasanly. Photoelectronic, optical and electrical properties of TlInS2 single crystals. Physica Status Solidi A, 199(2), 277 (2003); https://doi.org/10.1002/pssa.200306668.
Y. Kim, K. Park, S. Han, D. Chen, D. Kim, G. Kang, S. Hong, Atomic force microscopy for ferroelectric materials research, J. Mater. Chem. C, 14, 2977-2981 (2026). https://doi.org/10.1039/D5TC03998C
T.Babuka, O.Gomonnai, K.E. Glukhov. Electronic and Optical Properties of the TlInS2 Crystal: Theoretical and Experimental Studies.Theoretical and Experimental Studies, Acta Physica Polonica A, 136(4), 640 (2019); https://doi.org/10.12693/APhysPolA.136.640.
R.Madatov, R.Mamishova, A.Abasova, Sh.Alahverdiyev. Differential-thermal analysis and a microscopic study of the effect of γ-radiation on CuTlSe2 single crystal, International Journal of Modern Physics B, 37(30), 2350265 (2023); https://doi.org/10.1142/S0217984924502956.
P. Dash, H. Rath, B. N. Dash, P. Mallick, T. Basu, T. Som, U. P. Singh, N. C. Mishra. Evolution of microstructure and surface topography of gold thin films under thermal annealing, AIP Conf. Proc., 1461, 214 (2012); https://doi.org/10.1063/1.4736889.
F. Mamedov, S. Nabieva, S. Melikova, G. Imanova, O. Tagiyev, E. Mansurova. Effect of annealing on thermoelectric properties of crystals YbxBi2-xTe3, Modern Physics Letters B, 38(12), 2450090 (2024); https://doi.org/10.1142/S0217984924500908.
Namiq N. Niftiyev, Faik M. Mammadov, Rauf M. Sardarli, Famin T. Salmanov, Najaf I. Orujov, Mahammad B. Babanly, Dielectric properties of FeGaInSe4 crystal in an alternating electric field. Solid State Communications, 405(1), 116134 (2025); https://doi.org/10.1016/j.ssc.2025.116134.
N.N. Niftiyev, A.O. Dashdemirov, F.M. Mammadov et al. Optical Properties of FeGaInS4 Single Crystals Under Laser Excitation, J Appl Spectrosc, 89, 1147 (2023); https://doi.org/10.1007/s10812-023-01480-3.
F.M. Mammadov, Dunya M. Babanly, Elnur N. Orujlu, Namiq N. Niftiyev, Famin T. Salmanov, Rashid J. Gasimov, Mahammad A. Bayramov, Imamaddin R. Amiraslanov, Mahammad B. Babanly, The phase equilibria in the MnSe–Ga2Se3–In2Se3 system, crystal structure and some physical properties of MnGaInSe4, Journal of Alloys and Compounds, 1036, 181814 (2025); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2025.181814.
Sh. Chen, M. Chen, H. Li, Recent Progress on the Characterization of Polymer Crystallization by Atomic Force Microscopy, Polymers, 17 (19), 2692 (2025). https://doi.org/10.3390/polym17192692
R.М. Sardarly, М.B. Babanly, N.А. Аliyeva, L.F. Mashadiyeva, R.А. Mamadov, G.M. Ashirov, A.A. Saddinova, S.Z. Damirova. Obtaining and measuring impedance characteristics of the Ag8SiSe6 compound, East European Journal of Physics, (1), 233 (2025); https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-1-24.
I.I. Mustafayev, S.Z. Melikova, E.G. Hajiyeva et al. Spectral investigations of γ-irradiated polyethylene/CdS+ZnS composite films. Acta Physica Polonica A, 144, 1, 35 (2023); http://doi.org/10.12693/APhysPolA.144.35.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2026 F.T. Salmanov, R.M. Sardarly, R.M. Mukhtarov, N.A. Aliyeva, R.A. Mammadov
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
