Design of SOI transistors taking into account the influence of a floating body and a controlled base

Editorial Board PCSS Journal; Т.Г. Бенько

doi:10.15330/pcss.26.2.442-446

Автор(и)

Т.Г. Бенько Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.26.2.442-446

Ключові слова:

МОН-транзистор, КНІ, плаваюче тіло, підканальна область, сигнал

Анотація

В роботі запропоновано альтернативну технологію яка використовує зміну тіла транзистора, за допомогою чого більша зміна забезпечує збільшений струм пристрою під час перемикання, тоді як нахил зменшує потік витоку під час зберігання. Тіло, що робить вплив на методи поліпшило роботу, особливо в низькому діапазоні напруг.

Розроблено технологію, яка може використовуватися, щоб вирішити низьковольтну операцію, без будь – якої втрати в швидкості, або збільшення джерела витоку. Альтернативно це може використовуватися, щоб прискорити роботу схеми без будь якого збільшення витрат енергії. Запропонована структура починається з МОНПТ з n-затвором, який особливо привабливий і широко використовується з технологією підкладки КНІ. На відміну від звичайного, прив’язаного витоком типу розташування, стиль розташування n-затвору використовує полікремнієві розширення затвору, паралельні, з обох боків каналу, щоб створити ізольований контакт між поверхнями елементів.

Посилання

D. Goldman, DRAM Technology Incorporating Sub-Volt Dynamic Threshold Devices for Embedded Mixed-Signal. IEEE Intl SOI Conference: 97 (2001).

C.F. Edwards. A Multibit Delta-Sigma Modulator in Floating-Body SOS/SOI CMOS for Extreme Radiation Environments. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 34, 937 (1999).

K. Rohrmann, M. Sandner, P. Meier, M. Prochaska, A novel magnetoresistive wheel speed sensor with low temperature drift and high stray field immunity, 2018 IEEE International Instrumentation and Measurement Technology Conference: Discovering New Horizons in Instrumentation and Measurement (IEEE, Houston, 1 (2018); https://doi.org/10.1109/I2MTC.2018.8409840.

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, K. Rogacki, I. Kogut, V. Golota, Nanoscale polysilicon in sensors of physical values at cryogenic temperatures, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 29(10), 8364 (2018); https://doi.org/10.1007/s10854-018-8847-0.

S. Kim. Long-term Power Minimization of Dual-VT CMOS Circuits. IEEE Intl ASIC/SOC Conference:125, (2002).

A.J.Bhavnagarwala. Dynamic-Threshold CMOS SRAM Cells for Fast, Portable Applications. IEEE Intl ASIC/SOC Conference: 359 (2000).

K. Han, H. Kim, J. Kim, D. You, H. Heo et al., A 24.88 nV/√Hz Wheatstone Bridge Readout Integrated Circuit with Chopper-Stabilized Multipath Operational Amplifier, Applied Sciences 10(1), 399 (2020); https://doi.org/10.3390/app10010399.

O. López-Lapeña, E. Serrano-Finetti, Oscar Casas, Low-Power Direct Resistive Sensor-to-Microcontroller Interfaces, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 65(1), 222 (2016); https://doi.org/10.1109/TIM.2015.2479105.

K. Elangovan, C. Sreekantan Anoop, Simple and Efficient Relaxation-Oscillator-Based Digital Techniques for Resistive Sensors — Design and Performance Evaluation, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 69(9), 6070 (2020); https://doi.org/10.1109/TIM.2020.2972048.