Важливі питання статистичної теорії теплових і кінетичних властивостей кристалів
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.21.1.5-12Ключові слова:
потенціал Гіббса, хімічний потенціал, електропровідність, теплопровідність, тензорАнотація
В даній роботі приведені лаконічні розрахункові алгоритмічні формули теплових і кінетичнихвластивостей кристалів. Ці формули обгрунтовані для ізотропних кристалів з довільним законом дисперсії для носіїв струму, які розсіюються на довільних днфектах кристалічної гратки.В роботі ці алгоритмічні формули були використані для розрахунків важливих властивостей кристалів з непараболічним законом дисперсії Кейна для носіїв струму і описано шлях переходу до кристалів з параболічним законом дисперсії.
Посилання
J. S. Budjak, Gibbs Grand Thermodynamic Potential in the Teory of Kinetic Crystal Properties, Physics and Chemistry of Solid State, 18(1), 7-14, (2017) (https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.7-14).
Ya. S. Budzhak, T. Wacławski, The Important Thermal Characteristics of Matter and Their Computations with the Use of the Gibbs Potentials, Physics and Chemistry of Solid State, 19(2), 134-138, (2018) (https://doi.org/10.15330/pcss.19.2.134-138).
Ya. S. Budzhak, T. Wacławski, A Set of the Important kinetic Properties of crystals and Their Dependence on the Charge Carriers’ Scattering Mechanisms, Physics and Chemistry of Solid State, 19(4), 303-306, (2018) (https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.303-306).
Ya.S.Budzhak, L. O. Vasilechko, Foundations of statistical theory of thermal and kinetic properties of semiconductor crystals (Liga-Pres, Lviv, 2016).
Ya. S. Budzhak, A.O. Druzhinin, T. Wacławski, Modern Statistical Methods of Investigations of Properties of Crystals as Micro- and Nanoelectronics Materials (Publishing House of Lviv Polytechnic, Lviv, 2018).
