Застосування модуляційної спектроскопії для визначення ширини забороненої зони твердого розчину Cd1-xMnxTe
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.1.49Ключові слова:
напівпровідник, ширина забороненої зони, модуляційна спектроскопіяАнотація
Для визначення ширини забороненої зони монокристалічних твердих розчинів Cd1-xMnxTe, властивості яких змінюються з молярним складом x та якістю підготовки поверхні, використано модуляційну спектроскопію. Виявлено, що для таких зразків доцільно вимірювати диференційний спектр пропускання, основний пік якого регулюється складом x та товщиною підкладки d. Відповідно, потрібно виміряти Eg(d) принаймні для трьох зразків однакового складу та різної товщини. Використовуючи такі дані, екстраполяцією залежності Eg(d) в логарифмічній шкалі у точці перетину з віссю енергії lg d = 0 отримано значення ширини забороненої зони, що відповідає товщині зразка 1 мкм.
Посилання
[1] Yu. V. Vorobiev, V. I. Dobrovol'skiy, V. I. Strikha, Methods for Studying Semiconductors (Vyshcha Shkola, Kyiv, 1988).
[2] V. I. Gavrylenko, A. M. Grekhov, D. V. Korbutyak, and V. G. Litovchenko, Optical Properties of Semiconductors: a Handbook (Naukova Dumka, Kyiv, 1987).
[3] M. Cardona, Modulation Spectroscopy (Academic Press, London, 1969).
[4] V. P. Makhniy, Principles and Methods of Modulation Spectroscopy (Ruta, Chernivtsi, 2001).
[5] I. K. Furdyna, Journal of Applied Physics 64(4), 22 (1989)
[6] V. F. Agekyan, N. G. Filosofov, Diluted Magnetic Semiconductors (St. Petersburg, 2014).
[7] I. G. Aksyanov, M. E. Kompan, and M. V. Mesh, Physics of the Solid State 49(4), 691 (2007).
[8] B. P. Zakharchenya, F. Mayer (Eds.), Optical Orientation (Nauka, Leningrad, 1989).
[9] L. A. Kosyachenko, I. V. Rarenko, T. Aoki, V. M. Sklyarchuk, O. L. Maslyanchuk, N. S. Yurtsenyuk, and Z. I. Zaharuk, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 14, 421 (2011).
[10] P. V. Zhukovskii, Ya. Partyka, P. Vengerek, Yu. V. Sidorenko, Yu. A. Shostak, and A. Rodzik, Semiconductors 35(8), 937 (2001).
[11] S. Kuznetsov. Physical Processes in Crystals and Thin Layers of Cd1-xMnxTe and Heterojunctions Based on Them (Doctoral Dissertation in Physics, Kishinev, 2015).
[12] V. P. Makhniy, V. M. Sklyarchuk. Method of Defining Band Gap of Semiconductor Materials. Ukrainian patent UA 108138 granted on 11.07.2016.
[2] V. I. Gavrylenko, A. M. Grekhov, D. V. Korbutyak, and V. G. Litovchenko, Optical Properties of Semiconductors: a Handbook (Naukova Dumka, Kyiv, 1987).
[3] M. Cardona, Modulation Spectroscopy (Academic Press, London, 1969).
[4] V. P. Makhniy, Principles and Methods of Modulation Spectroscopy (Ruta, Chernivtsi, 2001).
[5] I. K. Furdyna, Journal of Applied Physics 64(4), 22 (1989)
[6] V. F. Agekyan, N. G. Filosofov, Diluted Magnetic Semiconductors (St. Petersburg, 2014).
[7] I. G. Aksyanov, M. E. Kompan, and M. V. Mesh, Physics of the Solid State 49(4), 691 (2007).
[8] B. P. Zakharchenya, F. Mayer (Eds.), Optical Orientation (Nauka, Leningrad, 1989).
[9] L. A. Kosyachenko, I. V. Rarenko, T. Aoki, V. M. Sklyarchuk, O. L. Maslyanchuk, N. S. Yurtsenyuk, and Z. I. Zaharuk, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 14, 421 (2011).
[10] P. V. Zhukovskii, Ya. Partyka, P. Vengerek, Yu. V. Sidorenko, Yu. A. Shostak, and A. Rodzik, Semiconductors 35(8), 937 (2001).
[11] S. Kuznetsov. Physical Processes in Crystals and Thin Layers of Cd1-xMnxTe and Heterojunctions Based on Them (Doctoral Dissertation in Physics, Kishinev, 2015).
[12] V. P. Makhniy, V. M. Sklyarchuk. Method of Defining Band Gap of Semiconductor Materials. Ukrainian patent UA 108138 granted on 11.07.2016.
##submission.downloads##
Опубліковано
2019-04-01
Як цитувати
Махній, В., Горлей, П., & Березовський, М. (2019). Застосування модуляційної спектроскопії для визначення ширини забороненої зони твердого розчину Cd1-xMnxTe. Фізика і хімія твердого тіла, 20(1), 46–49. https://doi.org/10.15330/pcss.20.1.49
Номер
Розділ
Огляд
