Surface effects in neutron-irradiated CdSb crystals

Editorial Board PCSS Journal; С. Федосов; Л. Панасюк; Л. Ящинський; С. Шимчук; О. Урбан

doi:10.15330/pcss.27.2.361-365

Автор(и)

С. Федосов Кафедра фізики та вищої математики, Луцький національний технічний університет, Луцьк, Україна
Л. Панасюк Кафедра фізики та вищої математики, Луцький національний технічний університет, Луцьк, Україна
Л. Ящинський Кафедра фізики та вищої математики, Луцький національний технічний університет, Луцьк, Україна
С. Шимчук Кафедра промислового машинобудування, Луцький національний технічний університет, Луцьк, Україна
О. Урбан Кафедра міжнародних економічних відносин, Луцький національний технічний університет, Луцьк, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.27.2.361-365

Ключові слова:

поверхня, радіаційні дефекти, коефіцієнти дифузії, опромінення нейтронами, відпал, кристали CdSb

Анотація

Досліджено вплив структурних дефектів в CdSb, опроміненому швидкими нейтронами до 2×10¹⁸ н/см², на стан поверхні кристала. Показано, що під час зберігання опромінених кристалів їхня поверхня (шар 60 ÷ 80 мкм) збільшує свою провідність. Запропоновано модель, яка пояснює вплив опромінення на стан поверхні кристала. Експериментально визначено енергію міграції міжвузлових атомів кадмію, значення коефіцієнтів дифузії при різних температурах та частотний фактор. Також детально досліджено ізохронний відпал радіаційних дефектів у кристалах CdSb, опромінених нейтронами.

Посилання

V.L. Vynetsky and G.A. Kholodar, Radiation physics of semiconductors, Naukova dumka, 333 (1979).

K. Suzuki and S. Takeuchi, 11 International Conference on Defects and Radiation Effects in Semiconductors (Sept. 8–11, 1980, Oiso, Japan), 443–448 (1980).

A. Seeger, H. Röll and V. Frank, Own interstitial atoms, vacancies and their clusters in silicon and germanium, Point defects in solid, 163(1979).

J. Watkins, Lattice defects in A2B6 compounds, Point defects in solid, 221(1979).

Guang-Sheng Ning et al, Application of silicon carbide temperature monitors in 49-2 swimming-pool test reactor, Chinese Phys. B, 32, 056102 (2023); https://doi.org/10.1088/1674-1056/acb41c.

S. Zhang, Y. Yang, H. Liu et al, Investigation of the recovery behavior of irradiation defects induced by a neutron in 4H-SiC combining Raman scattering and lattice parameters, J. Mater. Res., 37, 2910 (2022); https://doi.org/10.1557/s43578-022-00687-y.

Y. Saliy, Isochronous and isothermal annealing of defects, Phys. Chem. Solid St. 25, 747 (2024); https://doi.org/10.15330/pcss.25.4.747-749.

O. Durov, T. Stetsyuk, Morphology of titanium nanofilms onto sapphire at annealing in vacuum, Phys. Chem. Solid St. 26, 78 (2025); https://doi.org/10.15330/pcss.26.1.78-83.

A.A. Khomich, et al, Engineering of defects in fast neutron irradiated synthetic diamonds, J. Phys.: Conf. Ser. 2103, 012076 (2021); https://doi.org/10.1088/1742-6596/2103/1/012076.

International Workshop on Positron Studies of Defects (PSD 08) J. Phys.: Conf. Ser. 265, (2011); https://doi.org/10.1088/1742-6596/265.

C.A. Londos, N.V. Sarlis and L.G. Fytros, Isochronal Annealing Studies of the Oxygen–Vacancy Centres in Neutron-Irradiated Si, Phys. Status Solidi A, 163 325 (1997); https://doi.org/10.1002/1521-396X(199710)163:2%3C325::AID-PSSA325%3E3.0.CO;2-1.

G.P. Gaidar, Annealing of radiation-induced defects in silicon, Surf. Eng. Appl. Electrochem. 48, 78 (2012); https://doi.org/10.3103/S1068375512010061.

A. Rueanngoen, K. Kanazawa, M. Imai et al, Analysis of recovery process of low-dose neutron irradiation-induced defects in silicon nitride-based ceramics by thermal annealing, J. Nucl. Mater. 455, 464 (2014); https://doi.org/10.1016/j.jnucmat.2014.07.066.

O.A. Lambri, et al, Dislocations and point defects in neutron irradiated single crystalline Mo at elevated temperatures, J. Phys.: Conf. Ser. 325, 012017 (2011); https://doi.org/10.1088/1742-6596/325/1/012017.

S.A. Fedosov, Panasyuk L.I., L.V. Yashchynskiy, S.P. Shymchuk and O.A. Urban, XX International Freik Conf. on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (Oct. 06–10, 2025, Ivano-Frankivsk, Ukraine) 215 (2025).

S.А. Fedosov, D.A. Zakharchuk, O.V. Zamuruyeva and V.E. Sakhnyuk, Features of changes in electrophysical properties of cadmium antimonide when irradiated with 60Co Gamma-quanta, Mater. Today: Proc. 62, 5749 (2022); https://doi.org/10.1016/j.matpr.2022.01.489.

S.А. Fedosov, D.А. Zakharchuk, Yu.V. Кoval, et al, Kinetic effects in cadmium antimonide crystals before and after gamma-irradiation, Phys. Chem. Solid St. 21, 266 (2020); https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.266-271.

O. Urban, S. Fedosov and L. Yashchynskyy, Some aspects of the theory of defect annealing in irradiated CdSb crystals, Naukovi Notatki, 84, 173 (2025); https://doi.org/10.36910/775.24153966.2025.84.27.