Magneto- and Tensoresistance of the p Ge Compensated Crystals in the Range of Weak, Intermediate and Classically Strong Magnetic Fields

Г.П. Гайдар

doi:10.15330/pcss.17.1.43-47

Автор(и)

Г.П. Гайдар Інститут ядерних досліджень НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.43-47

Ключові слова:

германій, компенсовані кристали,, магнітотензоопір, тензомагнітоопір

Анотація

На кристалах компенсованого р‑Ge (з коефіцієнтом компенсації k = N_Sb/N_Ga = 0,5) при температурі 77 K проведено виміри поперечного (Н ^ (J // X)) магнітотензоопору (в інтервалі магнітних полів 0 < Н £ 22.3 кЕ) при фіксованих значеннях механічних напружень Х_і = 0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,9; 1,1; 1,5 ГПа, що задавали пружну деформацію вздовж зразків, кристалографічна орієнтація яких співпадала з напрямком [100]. Також при фіксованих напруженостях магнітного поля, що відповідали значенням Н_і = 2; 4; 8; 10; 15; 20; 22,3 кЕ, були виміряні залежності питомого опору від механічного напруження Х, що співпадало з поздовжньою віссю кристала (X // J // [100]) і змінювалося в межах 0 £ Х £ 1,5 ГПа. Останні залежності характеризувалися наявністю мінімуму в області 0,5 ¸ 0,6 ГПа при мінімальних напруженостях Н = 2 кЕ, який зміщувався по шкалі Х до значень 0,2 ¸ 0,3 ГПа при підвищенні Н до 22,3 кЕ.

Посилання

[1] P. І. Barans'kij, A. V. Fedosov, G. P. Gajdar, Fіzichnі vlastivostі kristalіv kremnіju ta germanіju v poljah efektivnogo zovnіshn'ogo vplivu (Nadstir’ja, Luc'k, 2000).
[2] P. I. Baranskij, I. S. Buda, I. V. Dahovskij, V. V. Kolomoec, Jelektricheskie i gal'vanomagnitnye javlenija v anizotropnyh poluprovodnikah (pod red. P.I. Baranskogo) (Naukova dumka, Kiev, 1977).
[3] P. I. Baranskii, V. V. Kolomoets, Phys. stat. sol. (b) 42(2), K113 (1970).
[4] R. K. Willardson, T. C. Harman, A. C. Beer, Phys. Rev. 96(6), 1512(1954).
[5] P. I. Baranskij, V. V. Bajdakov, I. V. Dahovskij, A. I. Elizarov, FTP 9(8), 1613 (1975).
[6] K. Sugiyama, A. Kobayashi, J. Phys. Soc. Jpn. 18(2), 163 (1963).
[7] K. Sugiyama, J. Phys. Soc. Jpn. 18(10), 1555 (1963).
[8] A. C. Beer, Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. Eds. F. Seitz and D. Turnbull. – Supplement 4, Solid State Physics (Academic Press Inc., New York and London, 1963).
[9] P. І. Barans'kij, A. V. Fedosov, G. P. Gajdar, Neodnorіdnostі napіvprovіdnikіv і aktual'nі zadachі mіzhdefektnoї vzaєmodії v radіacіjnіj fіzicі і nanotehnologії. Monografіja (Redakcіjno-vidavnichij vіddіl Luc'kogo derzhavnogo tehnіchnogo unіversitetu, Kiїv Luc'k, 2007).