Селективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTe

Автор(и)

  • Г.М. Окрепка Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • В.М. Томашик Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.16.4.711-715

Ключові слова:

хімічне травлення, тверді розчини, селективне травлення, травник, ямки травлення

Анотація

Селективне травлення – метод експрес-контролю дефектів структури в монокристалах напівпровідників. У статті наведено огляд літературних відомостей про селективне травлення монокристалів ZnxCd1-xTe. Інформацію систематизовано у вигляді таблиці, в якій наведено кількісний і якісний склад селективних травників і інформацію про дефекти, яку можна одержати після обробки ними.

Посилання

V. K. Komar, A. S. Gerasimenko, D. P. Nalivajko, Funkcional'nye materialy dlja nauki i tehniki: Sbornik statej, Kharkiv, 167 (2001).

V. N. Tomashik, Neorgan. mater. 31(3), 313 (1995).

M. Inoue, I. Teramoto, S. Takayanagi, J. Appl. Phys. 33(8), 2578 (1962).

Y.-C. Lu, R. K. Route, D. Elwell, R. S. Feigelson, J. Vac. Sci. Technol. A. 3(1), 264 (1985).

N. N. Kolesnikov, A. A. Kolchin, D. L. Alov, J. Cryst. Growth. 174, 256 (1997).

U. Gilabert, A. B. Trigubo, N. E. Walsoe de Reca, Materials Science and Engineering 27, 11 (1994).

J. C. Clark, E. D. Jones, P. Capper, J. B. Mullin, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9, 397 (1998).

K. Guergouri, E. Teyar, R. Triboulet, J. Cryst. Growth. 216, 127 (2000).

R. K. Bagai, Geeta Mohan, G. L. Seth, W. N. Borle, Journal of Crystal Growth 85, 386 (1987).

I. Hahnert, M. Schenk, Journal of Crystal Growth 101, 251 (1990).

K. Nakagawa, K. Maeda, S. Takeuchi, Appl. Phys. Lett. 34(9), 574 (1979).

D. Rose, K. Durose, W. Palosz [and others], J. Phys. D.: appl. Phys. 31, 1009 (1998).

A. Hossain, A. E. Bolotnikov, G. S. Camarda [and others], Journal of Crystal Growth 310, 4493 (2008).

Yang Jianrong, Gu Huiming, Chen Xinqiang [and others], Journal of Crystal Growth 234, 337 (2002).

R. Watson, K. Durose, A. J. Banister, [and others], Materials Science and Engineering 16, 113 (1993).

B. Wermke, M. Mühlberg, A. Engel, P. Rudolph, Crystal Res. Technol. 24, 365 (1989).

A. Hossaina, A. E. Bolotnikova, G. S. Camardaa, [and others], Journal of Crystal Growth 312, 1795 (2010).

M. Muhlberg, P. Rudolph, C. Genzel [and others], Journal of Crystal Growth 101, 275 (1990).

M. A. Kovalec, N. I. Kuchma, E. S. Nikonjuk, Fiz. i him. obrab. materialov 3, 125 (1987).

A. Szczerbakow, J. Domagala, D. Rose [and others], J. Cryst. Growth 191, 673 (1998).

P. D. Brown, K. Durose, G. J. Russell, J. Woods, Journal of Crystal Growth 101, 211 (1990).

A. Iller, G. Karczewski, G. Kolmhofer, [and others], Cryst. Res. Technol. 33, 401 (1998).

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-12-15

Як цитувати

Окрепка, Г., & Томашик, В. (2015). Селективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTe. Фізика і хімія твердого тіла, 16(4), 711–715. https://doi.org/10.15330/pcss.16.4.711-715

Номер

Розділ

Наукові статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають