Отримання і люмінесцентні властивості тонких плівок сульфоселенідів цинку
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.354-359Ключові слова:
зoвоалентні елементи, ізотермічний відпал, гексагональна структура, гетерошари, енергетична структура, фотолюмінесценція, поляризаціяАнотація
Описано отримання гетерошарів сульфоселенідів цинку. Показана можливість отримання гексагональної модифікації кристалічної гратки методом ізовалентного заміщення. Досліджено λ-модульоване оптичне відбивання і визначено параметри енергетичної структури α-ZnSe, α-ZnS, α-ZnS0,45Se0,55. Встановлено, що отриманим гетерошарам властива інтенсивна фотолюмінесценція з квантовим виходом η = 8-12 % у синьо-фіолетовій області. Вона формується складовими смугами, природа яких визначається анігіляцією зв’язаних екситонів і міжзонними переходами вільних носіїв заряду. Показано, що добір температурних режимів дозволяє отримати випромінювання з максимумами ħωm у фіолетовій 2,80 еВ, синій 2,70 еВ і зеленій 2,45 еВ областях спектру. Воно визначається генераційно-рекомбінаційними переходами за участю донорних і акцепторних станів утворених власними точковими дефектами кристалічної гратки, і Zni відповідно. Обговорюються моделі випромінювальної рекомбінації.
Посилання
V.P. Makhniy, V.Ye. Baranyuk, M.V. Demich at all, SPIE 4425, 272 (2000) (https://doi.org/10.1117/12.429735).
A.N. Georgobiani, M.K. Sheinkman, Physics of A2B6 compounds (Mir, Moscow, 1986) (in Russian).
V.I. Fistul', Atoms in Semiconductors: State and Behaviour (Fizmatlit, Moscow, 2004) (in Russian).
M. Slyotov, А. Slyotov, Journal IAPGOS, 8(4), (2018) (https://doi.org/10.5604/01.3001.0012.7980).
V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, E.V. Stets, I.V. Tkachenko, V.V. Gorley, P.P. Horley, Thin Solid Films 450, 222 (2004) (https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.11.170).
Yu.V. Vorobyov, V.I. Dobrovolsky, V.I. Strikha, Semiconductor Research Methods (Vyshcha Shkola, Kyiv, 1988) (in Russian).
T.V. Gorkavenko, S.M. Zubkova, V.A. Makara, L.N. Rusina, Semiconductors 41(8), 886 (2007) (https://doi.org/10.1134/S1063782607080040)
A.N. Georgobiani, Yu.V. Ozerov, I.M. Tiginianu, Proceedings FIAN 163, 3 (1985) (in Russian).
V. Khomyak, M. Slyotov, I. Shtepliuk, O. Slyotov, and V. Kosolovskiy, Acta Physica Polonica A 122(6), 1039 (2012) (https://doi.org/10.12693/APhysPolA.122.1039).
E. Koh, D.W. Langer, J. Luminescence 1-2, 514 (1970).
V.P. Gribkovskii, The Theory of Light Absorption and Emission in Semiconductors (Nauka i Teknika, Minsk 1975) (in Russian).
M.M. Slyotov, O.S. Gavaleshko, O.M. Slyotov, State Intellectual Property Office of Ukraine, Patent for utility model No 104988, 1, (2016).
(http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=220761&chapter=abstractEN).
V.V. Serdiuk, Yu.F. Vaksman, Luminescence of semiconductors (Vyshcha shkola, Kyiv-Odessa, 1988) (in Russian).
А.А. Kopylov, A.I. Pikhtin, Fizika i tekhnika poluprovodnikov – Semiconductors 8, 2390 (1974) (in Russian).
