Множина важливих кінетичних властивостей кристалів та їх загальні статистичні розрахунки
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.19.3.217-221Ключові слова:
Потенціал Гіббса, ентропія, електропровідність, теплопровідність, алгоритм, тензорАнотація
В нерівноважній термодинаміці відомі узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності.Вони описують відгук провідного середовища на дію дрейфових полів в ньому та магнітного поля.В ці рівняння входять феноменологічні тензори та коефіцієнти, які визначають всю множну важливих кінетичних властивостей провідних кристалів.Отже, для вияснення природи властивостей кристала необхідно вияснити природу множини кінетичних тензорів і коефіцієнтів, які входять в узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності. В даній роботі вся множина цих важливих величин для ізотропних кристалів методами статистичної фізики розраховуються при загальних умовах спостереження, а також показано вплив просторового квантування на кінетичні властивості в 2D та 1D кристалах.
Посилання
[2] J. Budjak, V. Chaban, Energetic and kinetic properties of semiconductor crystals, Lviv, ProstirM, 190 p. (2017).