Influence of growth impurities on thermal defect formation in monocrystalline silicon

Ю.В. Павловський; О.В. Бербець; П.Г. Литовченко

doi:10.15330/pcss.22.3.437-443

Автор(и)

Ю.В. Павловський Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
О.В. Бербець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
П.Г. Литовченко Інститут ядерних досліджень НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.437-443

Ключові слова:

монокристалічний кремній, кисень, вуглець, магнітна сприйнятливість, мікротвердість, термічна обробка

Анотація

Досліджено вплив ростових домішок (кисню та вуглецю) на магнітні, мікромеханічні та структурні властивості монокристалів кремнію, вирощених за методом Чохральського, після їх термічної обробки в інтервалі температур 700-1100°С. Вивчено розподіл дефектів, які утворюються при різних температурах відпалу. Виявлено кореляцію між змінами магнітної сприйнятливості, мікротвердості та перебудовою структурних дефектів у кристалах після їх термообробки. Оцінено концентрації та розміри магнітно впорядкованих кластерів. Запропоновано інтерпретацію одержаних експериментальних результатів.

Посилання

C. Claeys, E. Simoen, V. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Krasko, O. Puzenko, A. Blondeel, P. Clauws, Jornal of the Electrochemical Society, 148(12), G738 (2001); https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1.1417558.

M. David, E. Simoen, C. Claeys, V. Neimash, M. Kras’ko, A. Kraitchinskii, V. Voytovych, A. Kabaldin, J. Barbot, Journal of Physics: Condensed Matter, 17, S2255 (2005); https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0953-8984/17/22/013/meta.

V.B. Neymash, V.V. Voytovych, A.M. Kraychynsʹkyy, L.I. Shpinar, M.M. Krasʹko, V.M. Popov, A.P. Pokanevych, M.I. Horodysʹkyy, Yu.V. Pavlovsʹkyy, V.M. Tsmotsʹ, O.M. Kabalʹdin, Ukrainian Journal of Physics, 50(5), 492 (2005); http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/journals/50/5/500513p.pdf.

V.B. Neimash, V.V. Voitovych, M.M. Kras’ko, A.M. Kraitchinskii, O.M. Kabaldin, Yu.V. Pavlovs’kyi, V.M. Tsmots’, Ukrainian Journal of Physics 50(11), 1273 (2005); http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/journals/50/11/501110p.pdf.

C.A. Londos, E.N. Sgourou, D. Timerkaeva, A. Chroneos, Journal of Applied Physics 114, 113504 (2013); https://doi.org/10.1063/1.4821116.

Deren Yang, Jia Chu, Jin Xu, Duanlin Que, Journal of Applied Physics 93(11), 8926 (2003); https://doi.org/10.1063/1.1569978.

V.M. Tsmotsʹ, I.S. Panʹkiv, L.I. Panʹkiv, YU.V. Pavlovsʹkyy, V.V. Petrenko, T.S. Kavetsʹkyy, D.V. Labovka, M.M. Luchkevych, R.V. Okhrymovych, V.P. Salanʹ, M.V. Tsyuper, Patent Ukrayiny na vynakhid №77284 to 15.11.2006; https://iprop-ua.com/inv/ghuezi09/.

S.G. Kazantsev, T.N. Ovcharenko, Voprosy elektromekhaniki 123, 41 (2011); http://jurnal.vniiem.ru/text/1234/41.pdf.

V.S. Vavilov, V.F. Kiselev, B.N. Mukashev, Defekty v kremnii i na yego poverkhnosti (Nauka, Moskva, 1990).

V.Ye. Kustov, M.G. Mil'vidskiy, Yu.G. Semenov, B.M. Turovskiy, V.I. Shakhovtsov, V.L. Shindich, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 20(2) 270 (1986); http://www.mathnet.ru/links/a86505ab46f6441b0d2e2de646e22bdf/phts60.pdf.

D.Y. Tetelʹbaum, A.A. Ezhevskyy, A.N. Mykhaylov, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 37(11), 1380 (2003); https://journals.ioffe.ru/articles/5410.

L.S. Vlasenko, M.P. Vlasenko, V.A. Kozlov, V.V. Kozlovskiy, Fizika i tekhnika poluprovodnikov 33(10), 1164 (1999); DOI: https://journals.ioffe.ru/articles/35875.

P.G. Litovchenko, N.T. Pavlovska, Yu.V. Pavlovskyy, Yu.O. Ugrin, G. Luka, I.P. Ostrovskyy, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 17(4), 416 (2014); https://doi.org/10.15407/spqeo17.04.416.

V.M. Tsmotsa, P.G. Litovchenkob, N.T. Pavlovskaa, Yu.V. Pavlovskyya, I. P. Ostrovskyy. Semiconductors, 44(5), 623 (2010); https://link.springer.com/article/10.1134/S1063782610050131.

V.M. Tsmots, P.G. Litovchenko, N.N. Novikov, Yu.V. Pavlovskyy, H.M. Khlyap, M.M. Luchkevych, V.P. Salan, B.D. Patsai, Physica Status Solidi (A), 205(2), 368 (2008); https://doi.org/10.1002/pssa.200622104.