Моделювання структурних та електричних параметрів тонких плівок CdS

Автор(и)

  • О.М. Чернікова Криворізький національний університет
  • Г.Д. Матеїк Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу
  • Я.В. Огородник Комп. "Обладнання для радіаційного моніторингу"

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.22.4.781-785

Ключові слова:

наноструктури, густина станів, метод теорії функціоналу електронної густини, псевдопотенціал, сонячні елементи, наночастинки, оксидні перехідні метали

Анотація

На основі розрахунків з перших принципів нами отримано розподiли густини валентних електронiв та електроннi енергетичнi спектри для плівки CdS з різним вмістом концентрації кисню. Згідно результатів розрахунків встановлено, що при адсорбції атомів кисню на поверхню CdS, кисень забираючи електрони з поверхневих атомів плівки CdS, підвищує її каталітичну активність. При цьому концентрація кисню не повинна перевищувати 12,5%.

Посилання

N. Lejmi, & O. Savadogo, Solar Energy Materials and Solar Cells, 70(1), 71–83 (2001); https://doi.org/10.1016/S0927-0248(00)00412-8.

P. Christian, P. O’Brien, Journal of Materials Chemistry, 18(14), (2008); https://doi.org/10.1039/b717656b).

Z. Hu, S. Liu, H. Qin, J. Zhou, X. Peng, Journal of the American Chemical Society, Am. Chem. Soc. 2020, 142, 9, 4254–4264 (2020); https://doi.org/10.1021/jacs.9b11978.

V. H. Martínez-Landeros, N. Hernandez-Como, G. Gutierrez-Heredia, M. A. Quevedo-Lopez, F. S. Aguirre-Tostado, Thin Solid Films, 682, 24–28 (2019); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.05.014.

Y. Zhu, X. Wang, M. Liu, Y. Zhang, S. Zhang, G. Jiang, … K. Yu, Chemical Physics Letters, 779, 138870 (2021); https://doi.org/10.1016/j.cplett.2021.138870.

M. Husham, Z. Hassan, A. M. Selman, The European Physical Journal Applied Physics, 74(1), 10101 (2016); https://doi.org/10.1051/epjap/2016150414.

I. E. Tinedert, A. Saadoune, I. Bouchama, M. A. Saeed, Optical Materials, 106, 109970 (2020); https://doi.org/10.1016/j.optmat.2020.109970.

X. He, P. Ercius, J. Varley, J. Bailey, G. Zapalac, T. Nagle, … A. Rockett, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 27(3), 255–263 (2018); https://doi.org/10.1002/pip.3087.

D.M. Meysin, C.A. Wolden, M.M. Griffith, H. Mahabaduge, J. Pankow, M.O. Reese, … T.M. Barnes, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 33(2), 021203 (2015); https://doi.org/10.1116/1.4903214.

Ab initio calculation, http://sites.google.com/a/kdpu.edu.ua/calculationphysics/.

G. B. Bachelet, D. R. Hamann, M.. Schlüter, Physical Review B, 26(8), 4199–4228 (1982); https://doi.org/10.1103/physrevb.26.4199.

W. Kohn, L.J. Sham, Physical Review, 140(4A), A1133–A113 (1965); https://doi.org/10.1103/physrev.140.a1133.

O.M. Chernikova, Y.V. Ogorodnik. Materials Today: Proceedings, 35 (17), 599-603 (2019); https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.11.224.

I. Oladeji, L. Chow, J. Liu, W. Chu, A. N. Bustamante, C. Fredricksen & A. Schulte, Thin Solid Films, 359(2), 154–159, (2000); https://doi.org/10.1016/s0040-6090(99)00747-6.

Masaya Ichimuraa, Fumitaka Goto and Eisuke Arai, Journal of applied physics, 85 (10), 7411- 7417 (1999); https://doi.org/10.1063/1.369371.

S. Vempati, Y. Ertas, T. Uyar, J. Phys. Chem. C, 117, 21609−21618 (2013); https://doi.org/10.1021/jp991469n.

C. E. Reed, C. G. Scott, J. Appl. Phys., 15, 1045−1050 (1964).

X. He, P. Ercius, J. Varley, J. Bailey, G. Zapalac, T. Nagle, … A. Rockett, Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 27(3), 255–263 (2018); https://doi.org/10.1002/pip.3087.

J. M. Kephart, R. M. Geisthardt, W. S. Sampath, Prog. Photovolt.: Res. Appl. 23, 1484-1492 (2015); https://doi.org/10.1002/pip.2578.

D. M. Meysing, C. A. Wolden, M. M. Griffith, H. Mahabaduge, J. Pankow, M. O. Reese, J. M. Burst, W. L. Rance, T. M. Barnes, J. Vac. Sci.Technol. A 33, 021203 (2015).

##submission.downloads##

Опубліковано

2021-12-30

Як цитувати

Чернікова, О., Матеїк, Г., & Огородник, Я. (2021). Моделювання структурних та електричних параметрів тонких плівок CdS. Фізика і хімія твердого тіла, 22(4), 781–785. https://doi.org/10.15330/pcss.22.4.781-785

Номер

Розділ

Фізико-математичні науки

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають