Формування нанокластерів на адсорбованій поверхні під впливом всебічного тиску та електричного поля
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.239-246Ключові слова:
нуклеація, всебічний тиск, електричне поле, адатом, поверхнева надгратка, деформаціяАнотація
У роботі досліджено вплив електричного поля та всебічного тиску на умови формування та період поверхневої надгратки адсорбованих атомів у напівпровідниках. Встановлено, що у напівпровіднику GaAs збільшення всебічного тиску та напруженості електричного поля залежно від напрямку призводить до збільшення або зменшення критичної температури (критичної концентрації адатомів), при якій можливе формування самоорганізованої наноструктури. Показано, що у сильнолегованому напівпровіднику n-GaAs збільшення напруженості електричного поля призводить до монотонної зміни (зменшення чи збільшення залежно від напрямку електричного поля) періоду самоорганізованих поверхневих наноструктур адатомів. Визначено період нанометрової структури адатомів залежно від величини всебічного тиску, температури, середньої концентрації адатомів та електронів провідності. Встановлено, що збільшення тиску призводить до розширення температурних інтервалів, у межах яких формуються нанометрові структури адатомів, та зменшення їх періоду.
Посилання
S. Höhm, M. Rohloff, A. Rosenfeld, J. Krüger, J. Bonse, Appl. Phys. A 110(3), 553 (2013) (doi: https://doi.org/10.1007/s00339-012-7184-z).
J. Wu., Y. Yang, H. Gao, Y. Qi, AIP Advances 7(3), 035218 (2017) (doi: https://doi.org/10.1063/1.4979507).
J. Bonse, S. Höhm, S.V. Kirner, A. Rosenfeld, J. Krüger, IEEE Journal of selected topics in quantum electronics 23 (3), 9000615 (2017) (doi: https://doi.org/10.1109/JSTQE.2016.2614183).
V.I. Emel’yanov, Laser Phys. 18(12), 1435 (2008) (doi: https://doi.org/10.1134/S1054660X08120104).
A.I. Vlasenko, A. Baidullaeva, V.P. Veleschuk, P.E. Mozol, N.I. Boiko, O.S. Litvin, Semiconductors 49(2), 229 (2015) (https://doi.org/10.1134/S1063782615020220).
Y. Zeng, B. Tao, J. Phys. D: Appl. Phys. 49, 195308 (2016) (doi: doi.org/10.1088/0022-3727/49/19/195308).
C. Tang, X. Liao, W. Zhong, H. Yu, Zh. Liu, RSC Advances 11, 6439 (2017) (doi: 10.1039/C6RA27426A).
R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan’kiv, Journal of Nano- and Electronic Physics 10(1), 01014 (2018) (doi: https://doi.org/10.21272/jnep.10(1).01014).
C. Taylor, E. Marega, E.A. Stach, G. Salamo, L. Hussey, M. Munoz, A. Malshe, Nanotechnology 19, 015301 (2008).(doi: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/01/015301).
R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan’kiv, Ukr. J. Phys. 61(8), 741 (2016) (doi: https://doi.org/10.15407/ujpe61.08.0747).
R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan’kiv, J. Nano- Electron. Phys. 8(2), 02014 (2016) (doi: http://dx.doi.org/10.21272/jnep.8(2).02014).
R.M. Peleshchak, S.K. Guba, O.V. Kuzyk, I.V. Kurilo, O.O. Dan’kiv, Semiconductors 47(3), 349 (2013) (doi: https://doi.org/10.1134/S1063782613030196).
R. D. Vengrenovich, Yu. V. Gudyma, and S. V. Yarema, Semiconductors 35(12), 1378 (2001) (doi: https://doi.org/10.1134/1.1427975)).
N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, Semiconnductors 32(4), 343 (1998) (doi: https://doi.org/10.1134/1.1187396).
R.M. Peleshchak, I.I. Lazurchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan’kiv, G.G. Zegrya, Semiconductors 50(3), 314 (2016) i:(https://doi.org/10.1134/S1063782616030180).
R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan’kiv, Cond. Mat. Phys. 18(4), 43801 (2015) (10.5488/CMP.18.43801).
Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko, O. Ya. Olikh, V. A. Shenderovsky, Journal of Electronic Materials 47, 4370 (2018) (https://www.springerprofessional.de/journal-of-electronic-materials-8-2018/15902282).
C. Kristukat, A.R. Goсi, Phys. stat. sol. (b) 244, 53 (2007) (doi: https://doi.org/10.1002/pssb.200672511).
O.V. Balaban, I.I. Grygorchak, R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan’kiv, Progress in Natural Science: Mater. International 24(4), 397 (2014) (doi: https://doi.org/10.1016/j.pnsc.2014.07.003).
S. Ostapenko, Appl. Phys. A 69(2), 225 (1999) (doi: 10.1007/s003390050994)..
O.Ya. Olikh, K.V. Voytenko, R.M. Burbelo, Journal of Applied Physics 117(4), 044505 (2015) (doi: https://doi.org/10.1063/1.4906844).
И. В. Островский, А. Б. Надточий, А. А. Подолян, Физ. техн. полупр. 36, 389 (2002).
L.D. Landau, E.M. Lifshitz, Theory of Elasticity (Pergamon Press, London, 1970).
R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan’kiv, Cond. Mat. Phys. 17(2), 23601 (2014) (doi: https://doi.org/10.5488/CMP.17.23601).
C.G. van de Walle, Phys. Rev. B. 39(3), 1871 (1989) (doi: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.1871).
J.F. Wager, J. Appl. Phys. 69(5), 3022 (1991) ( doi: doi.org/10.1063/1.348589).
T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, Semiconductors, 38(1), 56 (2004) (doi: doi.org/10.1134/1.1641133).
K.F. MacDonald, V.A. Fedotov, Applied Phys. Let. 80, 1643 (2002) (doi: https://doi.org/10.1063/1.1456260).
R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan’kiv, Ukr. J. Phys. 55(4), 434 (2010).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
