Photoelectric properties of heterojunctions based on semiconducting metal oxides and indium selenide

Editorial Board PCSS Journal; I.Г. Ткачук; І.Г. Орлецький; З.Д. Ковалюк; В.I. Іванов; A.В. Заслонкін; Б.В. Кушнір

doi:10.15330/pcss.26.2.231-234

Автор(и)

I.Г. Ткачук Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, Чернівці, Україна; Буковинський державний медичний університет, Чернівці, Україна
І.Г. Орлецький Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, Чернівці, Україна
З.Д. Ковалюк Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, Чернівці, Україна
В.I. Іванов Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, Чернівці, Україна
A.В. Заслонкін Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, Чернівці, Україна
Б.В. Кушнір Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, Чернівці, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.26.2.231-234

Ключові слова:

селенід індію, гетероструктури, фотовідгук

Анотація

Приведено результати порівняння фоточутливості гетеропереходів на основі шаруватого напівпровідника InSe та різних широкозонних оксидів (Mn₂O₃, CuFeO₂, Fe₂O₃), виготовлених методом спрей піролізу. Досліджено спектри фотовідгуку, опроміненого зі сторони плівок оксидів металів гетеропереходу в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3 eB. Встановлено виникнення фази In₂Se₃ між поверхнею кристалу InSe та плівками оксидів та її вплив на фоточутливость гетероструктур.

Посилання

M. Teena, A.G. Kunjomana, K. Ramesh, R. Venkatesh, N. Naresh, Architecture of monophase InSe thin film structures for solar cell applications, Sol. Energy Mater. Sol., 166, 190 (2017); https://doi.org/10.1016/j.solmat.2017.03.027.

J. Martínez-Pastor, A. Segura, J.L. Valdés, A. Chevy, Electrical and photovoltaic properties of indium‐tin‐oxide/p‐InSe/Au solar cells, J. Appl. Phys., 62, 1477 (1987); https://doi.org/10.1063/1.339627.

I.V. Mintyanskii, P.I. Savitskii, Z.D. Kovalyuk, Two-band conduction in electron-irradiated n-InSe single crystals, Phys. St. Sol. (b), 252 (2), 346 (2015); https://doi.org/10.1002/pssb.201451146.

W. Luo, Y. Cao, P. Hu, K. Cai, Q. Feng, F. Yan, T. Yan, X. Zhang, K. Wang, Gate tuning of high-performance InSe-based photodetectors using graphene electrodes, Adv. Opt. Mater., 3(10), 1418 (2015); https://doi.org/10.1002/adom.201500190.

X. Sun, J. He, B. Shi, B. Zhang, R. Wang, Alpha-phase indium selenide saturable absorber for a femtosecond all-solid-state laser, Opt. Lett., 44, 699 (2019); https://doi.org/10.1364/OL.44.000699.

Y. Pan, Q. Zhao, F. Gao, M. Dai, W. Gao, T. Zheng, S. Su, J. Li, H. Chen, Strong in-plane optical and electrical anisotropies of multilayered γ-InSe for high-responsivity polarization-sensitive photodetectors, ACS Appl. Mater. Interfaces, 14(18), 21383 (2022); https://doi.org/10.1021/acsami.2c04204.

I.G. Tkachuk, I.G. Orletskii, V.I. Ivanov, Z.D. Kovalyuk, A.V. Zaslonkin, V.V. Netyaga, Photoelectric properties of the Mn2O3/n-InSe heterojunction, J. Nano- Electron. Phys., 15(2), 02022 (2023); https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02022.

I.G. Orletskii, I.G. Tkachuk, V.I. Ivanov, Z.D. Kovalyuk, A.V. Zaslonkin, Electrical properties and photosensitivity of n-Mn2O3/p-InSe heterojunctions produced by the spray pyrolysis method, J. Nano- Electron. Phys., 15(5), 05025 (2023); https://doi.org/10.21272/jnep.15(5).05004.

I.G. Tkachuk, I.G. Orletskii, V.I. Ivanov, A.V. Zaslonkin, Z.D. Kovalyuk, Photosensitive CuFeO2/n-InSe heterojunctions, J. Nano- Electron. Phys., 14 (4), 04016 (2022); https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04016.

I.G. Orletskii, I.G. Tkachuk, Z.D. Kovalyuk, V.I. Ivanov, A.V. Zaslonkin, Fe2O3/p-InSe heterostructures produced by spray pyrolysis method, J. Nano- Electron. Phys., 16(2), 02007 (2024); https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02007.

O.A. Balitskii, K.V. Lutsiv, V.P. Savchyn, J.M. Stakhira, Thermal oxidation of cleft surface of InSe single crystal, Mater. Sci. Eng., 56(1), 5 (1998); https://doi.org/10.1016/S0921-5107(98)00213-X.

V.P. Savchyn, V.B. Kytsai, Photoelectric properties of heterostructures based on thermo-oxidated GaSe and InSe crystals, Thin Solid Films, 361–362, 123 (2000). https://doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00796-8.

J. Quereda, R. Biele, G. Rubio-Bollinger, N. Agraït, R. D'Agosta, A. Castellanos-Gomez, Strong Quantum Confinement Effect in the Optical Properties of Ultrathin α-In2Se3, Adv. Opt. Mat. 4(12), 1939 (2016); https://doi.org/10.1002/adom.201600365.