Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості напівпровідникових матеріалів
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.384-390Ключові слова:
пропускання, відбивання, поглинання, лазерне опромінення, n-Si(100), n-GaAs(100), Ge1-хSiхАнотація
В даній роботі поміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs(100); твердих розчинів Ge1-хSiх (х = 0,85) в діапазоні (0,2 - 1,7)·10-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі λ = 532 нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв’язувати домішки.
Посилання
V.A. Zuev, V.G. Litovchenko, V.G. Popov, Quantum Electronics 23, 33 (1982).
V.P. Veiko, MN Libenson, G.G. Chervyakov, EB Yakovlev, Interaction of laser radiation with matter (Fizmatlit, Moscow, 2008).
W. Julie, Laser Technology and Materials Analysis (Mir, Moscow, 1986).
P.O. Genzar, O.I. Vlasenko, S.M. Levitskyi, V.A. Gnatyuk, Physics and Chemistry of Solid State 15(4), 856 (2014).
P.O. Genzar, S.M. Levitskyi, Chemistry, Physics and Technology of the Surface 7(2), 186 (2016).
P.O. Genzar, O.I. Vlasenko, S.M. Levitskyi, UJP, 62 (11), 947 (2017).
P.O. Genzar, O.I. Vlasenko, S.M. Levitskyi, I.B. Yanchuk, S.R. Lavorik, Physics and Chemistry of Solid State 15(2), 303 (2014).
F. Bechstedt, R. Enderline, Surfaces and Boundaries of the Semiconductor Division (Mir, Moscow, 1990).
Problems of surface physics of semiconductors (Naukova Dumka, Kyiv, 1981).
V.E. Primachenko, O.V. Snitko, Physics of a metal-doped semiconductor surface (Naukova Dumka, Kyiv, 1988).
