Фоточутливість польових транзисторів Шотткі на епішарах GaAs на моно-Si-підкладці
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.453-456Ключові слова:
електроніка, ВІС, польові транзистори Шотткі, електроскопія, GaAsАнотація
В даній статті описані досліджені основи і фізичні механізми, які визначають фоточутливість арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі при їх освітленні випромінювання в області домішкової смуги поглинання. Проведені експерименти показали, що характер змін струму стоку в такій структурі при освітленні визначаються типом глибоких центрів, а величина його зміни визначається в основному дією двох факторів: зміни ширини шару об’ємного заряду бар’єрного контакту та ширини дипольного шару на межі розділу активний гетероперехідний шар-Si-підкладка.
Посилання
[1] Mizutani T. Photo-Induced Current Spectroscopy for Normally-Off GaAs MESFETs (Japanese Journal of Applied Physics, 1982).
[2] V.I Sen’ko, M.V Panasenko, Electronics and microcircuitry (Oberehy, Kyiv, 2000).
[3] M. Shur, Modern devices based on GaAs (Mir, Moscow, 1991).
[4] F. Tian, E.F. Chor, Thin Solid Films 518(24), 121 (2010).
[5] M.J. Sikder, P. Valizadeh, Solid-State Electronics 89, 105 (2013).
[6] V.A. Moskalyuk, D. I. Timofeev, A.V. Fedyaj, Ultrafast electronic devices (NTUU KPI, Kyiv, 2012).
[2] V.I Sen’ko, M.V Panasenko, Electronics and microcircuitry (Oberehy, Kyiv, 2000).
[3] M. Shur, Modern devices based on GaAs (Mir, Moscow, 1991).
[4] F. Tian, E.F. Chor, Thin Solid Films 518(24), 121 (2010).
[5] M.J. Sikder, P. Valizadeh, Solid-State Electronics 89, 105 (2013).
[6] V.A. Moskalyuk, D. I. Timofeev, A.V. Fedyaj, Ultrafast electronic devices (NTUU KPI, Kyiv, 2012).
##submission.downloads##
Опубліковано
2019-12-15
Як цитувати
Новосядлий, С., Грига, В., Павлишин, А., & Луковкін , В. (2019). Фоточутливість польових транзисторів Шотткі на епішарах GaAs на моно-Si-підкладці. Фізика і хімія твердого тіла, 20(4), 453–456. https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.453-456
Номер
Розділ
Наукові статті
