Оптичні властивості монокристалічних кремнієвих нанониток
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.453-459Ключові слова:
пористий кремній p-Si (100), кремнієві нанонитки, спектри відбивання, спектри пропускання, спектри поглинання, квантоворозмірний ефектАнотація
В роботі представлені результати дослідження оптичних спектрів відбивання та пропускання монокристалу кремнію p-Si (100) з кремнієвими нанонитками вирощеними з обох сторін та пористого кремнію p-Si (100) на монокристалічній підкладці в спектральному діапазоні 0,2 ÷ 1,7 мкм. Шари нанониток мали товщину 5,5 мкм, 20 мкм, 50 мкм та пористість 60%. Шари пористого кремнію мали товщину 5 мкм, 50 мкм та пористість 45%, 55% та 65%. Показано зміну енергетичної зонної структури в монокристалічних кремнієвих нанонитках та в монокристалічній матриці пористого кремнію.
Посилання
V.V. Tregulov, Porous silicon: technology, properties, application (Ryazan State University named for S. Yesenin, Ryazan, 2011) (in Russian).
[2] Ch. Poole, F. Owens, Nanotechnology (Tekhnosfera, Moskwa, 2009) (in Russian).
N.S. Zayats, P.O. Gentsar, V.G. Boiko, O.S. Litvin, M.V. Vuychik, A.V. Stronski, and I.B. Yanchuk, Semiconductors 43(5), 590 (2009).
P.A. Gentsar, A.I. Vlasenko, Semiconductors 40(9), 1066 (2006).
L. Karachevtseva, M. Kartel, V Kladko, O. Gudymenko, Wang Bo, V. Bratus, O. Lytvynenko, V. Onyshchenko, O. Stronska, Applied Surface Science 434, 142 (2018); https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.10.029.
V.F. Onyshchenko, L.A. Karachevtseva, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 23(1), 29 (2020); https://doi.org/10.15407/spqeo23.01.29.
L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko, Ukrainian Journal of Physics 53(9), 874 (2008).
L. Karachevtseva, M. Karas’, V. Onishchenko, F. Sizov, Proceedings of SPIE 5360, 381 (2004); https://doi.org/10.1117/12.530446.
Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, (Fizmatlit, Moskwa, 2002) (in Russian).
V.I. Gavrilenko, A.M. Grechov, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko, Optical Properties of Semiconductors (Naukova dumka, Kyiv, 1987) (in Russian).
O.V. Snitko, A.V. Sachenko, V.E. Prymachenko, Problems of Semiconductor Surface Science, (Naukova dumka, Kyiv, 1981) (in Russian).
V.E. Primachenko, O.V. Snitko. Physics of Metal-Doped Semiconductor Surface (Naukova dumka, Kiev, 1988) (in Russian).
F. Bekhsttedt, R. Enderline, Semiconductor Surfaces and Interfaces (Mir, Moskwa, 1990) (in Russian).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
