Peculiarities of Electrical Characteristics of Semi-Insulating CdTe-Сl crystals

Є.С. Никонюк; З.І. Захарук; С.В. Солодін; П.М. Фочук; С.Г. Дремлюженко; І.М. Юрійчук; Б.П Рудик

doi:10.15330/pcss.18.3.334-337

Автор(и)

Є.С. Никонюк Національний університет водного господарства та природокористування
З.І. Захарук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
С.В. Солодін Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
П.М. Фочук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
С.Г. Дремлюженко Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
І.М. Юрійчук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Б.П Рудик Національний університет водного господарства та природокористування

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.18.3.334-337

Ключові слова:

телурид кадмію, транспортні явища, розсіювання носіїв заряду

Анотація

Досліджено електричні властивості напівізолюючих кристалів CdTe-Сl, вирощених вертикальнм методом Бріджмена та методом рухомого нагрівника. Встановлено, що метод рухомого нагрівника забезпечує електронну провідність, а вертикальний метод Бріджмена – діркову. При 300 К питомий опір зразків становить ρ = (10⁸-10⁹) Ом×см, холлівська рухливість: дірок µ_p = (45 - 55) см²/В·с, електронів µ_n ≈ (10 - 20) см²/В·с. Дуже низькі значення і експоненційна температурна залежність µ_n зумовлені дрейфовими бар’єрами з висотою ε_b ≈ 0,20 еВ. Формування останніх пов’язане з флуктуаціями потенціального рельєфу за рахунок мікронеоднорідностей дефектно-домішкової системи. Крім того, в зразках n-CdTe-Cl мають місце квазіфотохімічні реакції, що полягають у зменшенні рухливості електронів після фотозбудження. В зразках p-CdTe-Cl не виявлено ні дрейфових бар’єрів, ні квазіфотохімічних реакцій.

Посилання

D.V. Korbutyak, S.V. Melnychuk, Ye.V. Korbut, M.M. Borisyuk, Cadmium Telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kyiv, 2000).

K. Zanio, Cadmium Telluride 13, 235 (1978).

L. Zou, Z. Gu, N. Zhang, Y. Zhang, Z. Fang, W. Zhu and Xinhua Zhong, J. of Material Chemistry 18, 2807 (2008).

K. Shcherbin, S. Odoulov, Z. Zakharuk, I. Rarenko, Optical Materials 18, 159 (2001).

K.L. Chopra, P.D. Paulson, V. Dutta, Progress in Photovoltaics: Research and Applications 12, 69 (2004).

M.Fiederle, V.Babentsov, J.Franc, A.Fauler, J.-P.Konrath, Cryst. Res. Technol. 38, 588 (2003).

А. Zaiour, M. Ayoub, A. Hamié. А. Fawaz, M. Hage-ali, Physics Procedia 55, 476 (2014).

S.G. Dremluzhenko, Z.I. Zakharuk, I.M. Rarenko, V.M. Srtebegev, A.G. Voloshchuk, I.M. Yurijchuk Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 7(1), 52, (2004).

A.Ya. Shik, ZhETF 71, 1159 (1976).

P.M. Fochuk, E.S. Nikonyuk, Z.I. Zakharuk, G.I. Rarenko, S.G. Dremlyuzhenko, Scientific Journal of Chernivtsi University, 771:Chemistry 56 (2016).

Cadmium Telluride and related Compounds, Physics, Defects, Hetero- and Nanostructures, Crystal Growth, Surfaces and Applications (Elsevier, Amsterdam-Oxford, 2010).

L.R. Weisberg, J. Appl. Phys. 33, 1817 (1962).