Легування пористого активованого вуглецю Er, металом з високою густиною електронних станів
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.25.4.782-786Ключові слова:
пористий вуглецевий матеріал, ербій, мідь, висока густина електронних станів, питома ємністьАнотація
Досліджено вплив легування пористого вуглецевого матеріалу (ПВМ) ербієм, як металом з високою густиною електронних станів, на електрохімічні властивості ПВМ. Встановлено, що оптимальною концентрацією впровадженого ербію є 0.2 %, при якій досягається істотне збільшення питомої ємності пристроїв, сформованих на основі легованого ербієм вуглецевого матеріалу. А сумісне легування ПВМ ербієм (0.2 мас. %) та міддю (0.1 мас. %) призводить не тільки до зростання питомої ємності, але й до зменшення загального імпедансу системи.
Посилання
I.M. Budzuliak, B.I. Rachii, V.O. Kotsiubynskyi, L.S. Yablon, O.V. Morushko, Synthesis, structure and electrochemical properties of nanoporous carbon material and its composites. (2021). Monograph. ISBN 978-966-640-493-3, Vasyl Stefanyk Precarpathian national university.
Saleh O. Allehabi, Jiguang Li, V.A. Dzuba, V.V. Flambaum, Theoretical study of electronic structure of erbium and fermium, Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer, 253, 107137 (2020); https://doi.org/10.1016/j.jqsrt.2020.107137.
R.G. Ikramov, K.A. Muminov, M.A. Nuritdinova, B.Q. Sultonov, & O.T. Kholmirzayev, Calculation of the Density of the Distributi on of Electronic States in the Conduction Band from the Fundamental Absorption Spectra of Amorphous Semiconductors. East European Journal of Physics, (4), 153 (2023); https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-16.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 I.M. Budzuliak, L.S. Yablon, V.O. Kotsiubynskyi, I.I. Budzuliak, R.V. Ilnytskyi, A.I. Hlubitskyi, N.R. Ilnytskyi
Ця робота ліцензованаІз Зазначенням Авторства 3.0 Міжнародна.