Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.3.599-605Ключові слова:
супер бета-транзистор, гетероструктура, арсенід галію, кремній, реактори електронно-циклотронного резонансуАнотація
Серед напівпровідників по частоті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем кремній був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si).
Посилання
S.P. Novosjadlij, Sub-і nanomіkronnatehnologіja struktur VІS (Mіsto NV, Іvano-Frankіvs'k, 2010).
Arsenіd galіju v mіkroelektronіcі. Pіd red. D. Ajnsoruna, (1988).
S.P. Novosjadlij, Physics and Chemistry of Solid State 3(4), 710 (2002).
U. Tіll, Integral'nie shemi. Materialy, pribory, izgotovlenie. Per s ang, pod..red. M.V. Gal'nezna (Mir, Moskva, 1981).
S.P. Novosjadlij, V.M. Berezhans'kij, Shіdno-Evropejs'kij zhurnal peredovih tehnologіj 1(25), 40 (2007).
S.P. Novosjadlij, Shіdno-Evropejs'kij zhurnal peredovih tehnologіj 4/5(64), 1 (2013).
S.P. Novosjadlij, Ju.V. Voznjak, Physics and Chemistry of Solid State 2(13), 416 (2012).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
