Схемотопологічне моделювання перетворювачів рівнів сигналів для аналітичних мікросистем-на-кристалі

Автор(и)

  • В.В. Довгий Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • В.І. Голота Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • І.Т. Когут Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.403-407

Ключові слова:

перетворювач рівнів сигналу, структура «кремній-на-ізоляторі», базовий матричний кристал, аналітична мікросистема-на-кристалі

Анотація

В роботі наведено результати схемотопологічного проектування і комп’ютерного моделювання перетворювачів рівнів сигналу для інтегральних схем та аналітичних мікросистем на базовому матричному кристалі (БМК) зі структурами «кремній-на-ізоляторі» (КНІ).

Посилання

[1] І. T. Kogut, A. O. Druzhinіn, V. І. Golota, V. V. Dovgij, Elementi analіtichnih mіkrosistem-na-kristalі na osnovі trivimіrnih KNІ-struktur. Zbіrnik tez 5-toї ukraїns'koї nauk. konferencії z fіziki napіvprovіdnikіv (Uzhgorod, Ukraїna, 2011). S. 190.
[2] Web source: http://www.penzar.com/topspice/topspice.htm.
[3] Patent of Ukraine na N 62994. Komіrkabazovogo matrichnogo kristala / Druzhinіn A.O., Kogut І.T., Golota V.І., Hoverko Ju.M., Dovgij V.V., Vujcik A.M. Podano 18.02.2011. Zajavka u201101326. Opubl. 26.09.2011, bjul. №18/2011.
[4] I. T. Kogut, V. V. Dovhij, Layouts features of SOI CMOS gate matrix arrays / Materials of ICPTTFN–XIII, International conference, Physics and technology of thin films and nanosystems (Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2011). P.275.
[5] Web-source: http://www.microwind.org.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-06-15

Як цитувати

Довгий, В., Голота, В., & Когут, . І. (2015). Схемотопологічне моделювання перетворювачів рівнів сигналів для аналітичних мікросистем-на-кристалі. Фізика і хімія твердого тіла, 16(2), 403–407. https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.403-407

Номер

Розділ

Наукові статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають