Theoretical Analysis of Experimental Thermoelectric Characteristics of Silicon-Based Whiskers

Я.С. Буджак; А.О. Дружинін; С.І. Нічкало

doi:10.15330/pcss.20.4.331-337

Автор(и)

Я.С. Буджак Національний університет «Львівська політехніка»
А.О. Дружинін Національний університет «Львівська політехніка»
С.І. Нічкало Національний університет «Львівська політехніка»

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.331-337

Ключові слова:

потенціал Гіббса, хімічний потенціал, закон дисперсії, віскер, термоелектрика

Анотація

У роботі показано, що коли в провідному кристалі створити електричне поле з напруженістю та градієнт температури і помістити цей кристал в магнітне поле з вектором індукції, то в ньому виникають процеси перенесення носіїв заряду і теплоти, які описуються відомими узагальненими рівняннями електропровідності і теплопровідності. Тензори і скалярні коефіцієнти, які входять в склад цих рівнянь, це кінетичні властивості кристалів. Вони описують природу актуальних властивостей кристалів і мають широке прагматичне застосування в сучасній твердотілій електроніці. Проаналізовано процес просторового квантування спектра та його вплив на кінетичні властивості кристалів.

Посилання

B. M. Askerov, Electron Transport Phenomena in Semiconductors (World Scientific, Singapore, 1994).

H. Haug, A.-P. Jauho, Quantum Kinetics in Transport and Optics of Semiconductors (Springer, 1996).

O. Madelung, Physics of III-V Compounds (Wiley, New York, 1964).

K. Seeger, Semiconductor Physics (Springer–Verlag Wien, New York, 1973).

P. Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties (Springer, 2010).

T. Pustelny, A. Opilski, B. Pustelny, Acta Physica Polonica A 114(6 A), A183 (2008).

Ya. S. Budzhak, T. Waclawski, Physics and Chemistry of Solid State 19(2), 134 (2018) (doi: 10.15330/pcss.19.2.134-138).

Ya. S. Budzhak, Physics and Chemistry of Solid State 19(3), 217 (2018) (doi: 10.15330/pcss.19.3.217-221).

Ya. S. Budzhak, A. O. Druzhinin, T. K. Waclawski, Physics and Chemistry of Solid State 20(2), 133 (2019) (doi: 10.15330/pcss.20.2.133-138).

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Iu. Kogut, S. Nichkalo, T. Shkumbatyuk, Physica Status Solidi C 8(3), 867 (2011) (doi: 10.1002/pssc.200900266).

A. P. Dolgolenko, A. A. Druzhinin, A. Ya. Karpenko, S. I. Nichkalo, I. P. Ostrovsky, P. G. Litovchenko, A. P. Litovchenko, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 14(4), 456 (2011).

A. Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh-Kaguy et al., Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 10445, Article number 1044556 (2017) (doi: 10.1117/12.2280895).