До питання про проблеми статистичних розрахунків термодинамічних та кінетичних властивостей провідних кристалів
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.345-353Ключові слова:
потенціал Гіббса, закон дисперсії, хімічний потенціал, дрейфова силаАнотація
В даній роботі описана елементарна модель кристалу та його термодинамiчно рiвноважний стан. Показано, що термодинамічні характеристики кристала в такому стані описуються великим термодинамічним потенціалом Гіббса. Якщо кристал виведений із стану термодинамічної рівноваги то в цьому стані він описується множиною кінетичних властивостей, які статистично розраховуються за допомогою великого термодинамічно нерівноважного потенціалу Гіббса. Термодинамічні і кінетичні властивості кристалів мають аналітичну залежність від закону дисперсії носіїв струму кристала та їх хімічного потенціалу. В роботі показано, що визначення закону дисперсії та хімічного потенціалу – це складні проблеми статистичної і кінетичної теорії властивостей кристалів.
Посилання
J.S. Budjak, Physics and Chemistry of Solid State 18(1), 7 (2017) (https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.7-14).
Ya.S. Budzhak, T. Wacławski, Physics and Chemistry of Solid State 19(2), 134 (2018) (https://doi.org/10.15330/pcss.19.2.134-138).
Ya.S. Budzhak, T. Wacławski, Physics and Chemistry of Solid State 19(4), 303 (2018) (https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.303-306).
Ya.S. Budzhak, L.O. Vasilechko, Foundations of statistical theory of thermal and kinetic properties of semiconductor crystals (Liga-Pres, Lviv, 2016).
Ya.S. Budzhak, A.O. Druzhinin, T. Wacławski, Modern Statistical Methods of Investigations of Properties of Crystals as Micro- and Nanoelectronics Materials (Publishing House of Lviv Polytechnic, Lviv, 2018).