Study of the structural, electrokinetic and magnetic characteristics of the Er1-xZrxNiSb semiconductor

В.А. Ромака; Ю. Стадник; Л. Ромака; В. Крайовський; А. Горинь; П. Клизуб; В. Пашкевич

doi:10.15330/pcss.21.4.689-694

Автор(и)

В.А. Ромака Національний університет "Львівська політехніка"
Ю. Стадник Львівський національний університет імені Івана Франка
Л. Ромака Львівський національний університет імені Івана Франка
В. Крайовський Національний університет "Львівська політехніка"
А. Горинь Львівський національний університет імені Івана Франка
П. Клизуб Львівський національний університет імені Івана Франка
В. Пашкевич Національний університет "Львівська політехніка"

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.21.4.689-694

Ключові слова:

електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень Фермі

Анотація

Досліджено особливості структурних, кінетичних, енергетичних та магнітних характеристик напівпровідникового твердого розчину Er_1-_xZr_xNiSb, х=0–0.10. Зроблено припущення, що при уведенні атомів Zr (4d²5s²) у структуру пів-Гейслерової фази ErNiSb шляхом заміщення у позиції 4a атомів Er (5d⁰6s²) атоми Zr також одночасно можуть займати позицію 4с атомів Ni (3d⁸4s²). Як результат, у напівпровіднику Er_1-_xZr_xNiSb одночасно генеруються як структурні дефекти донорної природи у позиції 4a і акцепторної у позиції 4с. При цьому у забороненій зоні Er_1-_xZr_xNiSb з’являються енергетичні стани домішкових донорної та акцепторної зон (донорно-акцепторні пари), які визначають механізми електропровідності напівпровідника.

Посилання

O. Sologub, P.S. Salamakha. Rare earth antimony: [in]: Gschneidner K. (Ed.), Handbook on the Physiсs and Chemistry of Rare Earths (The Netherlands, Amsterdam 2003).

V.K. Pecharsky, J.V. Pankevich, O.I. Bodak, Sov. Phys. Crystallogr. (Ehgl. Transl) 28, 97 (1983).

K. Harties, W. Jeitschko, J. Alloys Compd. 226, 81 (1995) (https://doi.org/10.1016/0925-8388(95)01573-6).

V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovskyy, L.P. Romaka, O.P. Guk, V.V. Romaka, M.M. Mykyichuk, A.M. Horyn, The nowel heat-sensitive materials and temperature transducers (Lviv Polytechnic Publishing House, Lviv, 2020).

I. Karla, J. Pierre, R.V. Skolozdra, J. Alloys Compd. 265, 42 (1998) (https://doi.org/10.1016/S0925-8388(97)00419-2).

V.A. Romaka, V.V. Romaka, Yu.V. Stadnyk, Intermetallic semiconductors: properties and applications (Lviv Polytechnic Publishing House, Lviv, 2011).

Yu. Stadnyk, V.A. Romaka, A. Нoryn, L. Romaka, V. Krayovskyy, І. Romaniv, M. Rokomanuk, Phys. Chem. Sol. St., 21(1), 73 (2020) (https://doi.org/10.15330/pcss.21.1.73-81 ).

L.P. Romaka, D. Kaczorowski, A.M. Horyn, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovskyy, V.V. Romaka, Phys. Chem. Solid State 17(1), 37 (2016) (https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.37-42).

T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378-381, 118 (2001) (https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.378-381.118).

B.I. Shklovskii and A.L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, NY, 1984).