Діркова провідність тонких шарів кадмій телуриду з домішками Li та Ca

Автор(и)

  • В.П. Махній Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • Т.М. Мазур Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
  • М.М. Березовський Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • О.В. Кінзерська Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • В.В. Прокопів Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.313-315

Ключові слова:

кадмій телурид, провідність, ізовалентна домішка, точкові дефекти, енергія іонізації

Анотація

Низькотемпературним відпалом підкладок n-CdTe у водяних суспензіях солей LiNO3 та Ca(NO3)2 створені шари p-типу провідності. Оціночна концентрація вільних дірок в дифузійних шарах при 300 К становить (5-50)∙1015 см-3.

Посилання

Properties of narrowgap cadmium based compounds (INSPEC, The institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom, 1994).

D. V. Korbutyak, S. V. Melnychuk, E. V. Korbut, M. M. Borysyuk, Cadmium telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kiev, 2000).

K. Chopra, S. Das, Thin-film solar cells (MIR, Moscow, 1986).

V. P. Makhniy, I. I. German, G. I. Bodyul, Method for obtaining Hd-conductive CdTe layers. Patent of Ukraine for Utility Model UA №107086, Byul. №10, 25.05.2015.

I. V. Shalimova, Semiconductor Physics (Energoatom, Moscow, 1985).

V. P. Makhniy, Physics and Chemistry of Point Defects in Semiconductors (Chernivtsi National University, Chernivtsi, 2014).

##submission.downloads##

Опубліковано

2018-12-25

Як цитувати

Махній, В., Мазур, Т., Березовський, М., Кінзерська, О., & Прокопів, В. (2018). Діркова провідність тонких шарів кадмій телуриду з домішками Li та Ca. Фізика і хімія твердого тіла, 19(4), 313–315. https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.313-315

Номер

Розділ

Наукові статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>