Густина станів та міжзонне поглинання світла в тонких плівках Y2O3 і Sc2O3
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.40-44Ключові слова:
оксид ітрію, оксид скандію, тонка плівка, край фундаментального поглинанняАнотація
Досліджено довгохвильовий край смуги фундаментального поглинання тонких плівок Y2O3 i Sc2O3, одержаних методом дискретного випаровування у вакуумі. На основі його температурної залежності досліджено екситон-фононну взаємодію, що дало можливість інтерпретувати край поглинання як поглинання автолокалізованих екситонів. Для аналізу експериментальних результатів використано модель сильно легованого або дефектного напівпровідника в квазикласичному наближенні. Використання даної моделі дозволило оцінити радіус основного електронного стану а, радіус екранування rS і концентрацію вільних носіїв заряду N у досліджуваних плівках.
Посилання
T. Wiktorczyk, P. Bieganski and J. Serafinczuk, Optical Materials 59, 150 (2016); https://doi.org/10.1016/j.optmat.2015.12.012.
M.S. Lebedev, V.N. Kruchinin, M.Yu. Afonin, I.V. Korolkov, A.A. Saraev,A.A. Gismatulin and V.A. Gritsenko, Applied Surface Science 478, 690 (2019); https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.01.288.
Ch. Hua, Ch. Li, J. Guo, X. Yan, J. Liu, L. Chen, J. Wei and L. Hei, Surface & Coatings Technol. 320, 279 (2017); https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2017.01.004.
H.N. Hersh, Phys. Rev. 148(2), 928 (1966); https://doi.org/10.1103/PhysRev.148.928.
D. F. Bezuidenhout and R. Pretorius, Thin Solid Films 139 (2), 121 (1986); https://doi.org/10.1016/0040-6090(86)90330-5.
V.H. Mudavakkat, V.V. Atuchin, V.N. Kruchinin, A. Kayani and C.V. Ramana, Optical Materials 34(5), 893 (2012); https://doi.org/10.1016/j.optmat.2011.11.027.
O. M. Bordun & I. M. Bordun, J. Appl. Spectrosc. 64(5), 663 (1997); https://doi.org/10.1007/BF02675330.
O. M. Bordun, I. O. Bordun and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc. 79(6), 982 (2013); https://doi.org/10.1007/s10812-013-9711-x.
F. Urbach, Phys. Rev. 92(5), 1324 (1953); https://doi.org/10.1103/PhysRev.92.1324.
M.V. Kurik, Phys. Stat. Sol. A 8(1), 9 (1971); https://doi.org/10.1002/pssa.2210080102.
Е. Johnson, Optical properties of semiconductors. Semiconductor compounds of the AIIIBV type (Mir, Moskva,1970). (in Russian).
M.M. Batenchuk, L.G. Volzhenskaya, Yu.V. Zorenko and M.V. Pashkovsky, Phys. electron. 29, 32 (1984) (in Russian)
A. Anderson, Application of Raman spectra (Mir, Moskva, 1977) (in Russian).
M.V. Couric, Fiz. Tverd. Tela 3(2), 615 (1991) (in Russian).
A.L. Efros, Uspechi Fizicheskich Nauk 111, 451 (1973) (in Russian).
О.М. Bordun, Phys. and Chem. of Solids 1(2), 235 (2000) (in Ukrainian).
O. M. Bordun, I. O. Bordun and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc. 82(3), 390 (2015); https://doi.org/10.1007/s10812-015-0118-8.
N. D. Dovga, Phys. electron. 33, 86 (1986) (in Russian).
O.M. Bordun, B.O. Bordun, I.Yo. Kukharskyy and I.I. Medvid, J. Appl. Spectrosc. 88(2), 257 (2021); https://doi.org/10.1007/s10812-021-01166-8.
B.F. Ormont, Introduction to Physical Chemistry and Crystal Chemistry of Semiconductors (Vysshaya shkola, Moskva, 1973). (in Russian).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
