Вплив дислокаційної структури на електричні та спектроскопічні властивості гетероструктур MoOx/p-CdTe/MoOx
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.144-149Ключові слова:
телурид кадмію, дефектна структура, високороздільна Х-променева дифрактометрія, гетероструктри, детектори Х- та γ- випромінюванняАнотація
Методами високороздільної Х-хвильової дифрактометрії досліджена дефектна структура монокристалів p-CdTe:Cl та на їх основі гетероструктур MoOx/p- CdTe/MoOx. Апробовано різні моделі дислокаційних систем, за якими із побудови Вільямсона-Холла оцінено густини дислокацій. Відзначено, що значні деформації невідповідності в перехідному шарі негативно впливають на вольт-амперні характеристики гетероструктур.
Посилання
J.F. Butler, F.E Doty, C. Lingren and B. Apotovsky, Presented at the 2nd Topical Meeting on Industrial Radiation and Radioisotope Measurement Applications (Raleigh, September 8-11, 1992); https://doi.org/10.1016/0168-9002(96)00219-7.
S. Abbaspour, B. Mahmoudian, and J.P. Islamian, World J Nucl Med. 16(2), 101 (2017); https://doi.org/10.4103/1450-1147.203079.
A. Cola and I. Farella, Applied physics letters 105, 203501 (2014); https://doi.org/10.1063/1.4902188.
O. Maslyanchuk, V. Kulchynsky, M. Solovan, V. Gnatyuk, C. Potiriadis, I. Kaissas, V. Brus, Phys. Stat. Sol. C 14(3–4), 1600232 (2017); http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201600232.
O. Maslyanchuk, M. Solovan, V. Brus, P. Maryanchuk, E. Maistruk, I. Fodchuk, V. Gnatyuk, T. Aoki, C. Lambropoulos, K. Potiriadis, IEEE Trans. Nucl. Sci. 65(7), 1365 (2018); http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2018.2838766.
L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.M. Sklyarchuk, Semiconductors 39(6), 722 (2005); https://doi.org/10.1134/1.1944866.
O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, V.V. Brus, V.V. Kulchynsky, P.D. Maryanchuk, I.M. Fodchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, C. Potiriadis, Y. Kaissas, IEEE Trans. Nucl. Sci. 64(5), 1168 (2017); http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2017.2694701.
O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, E.V. Maistruk, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, Proc. SPIE, 10612 (2018); https://doi.org/10.1117/12.2305085.
J. Luschitz, B. Siepchen, J. Schaffner, K. Lakus-Wollny, G. Haindl, A. Klein, W. Jaegermann, Thin Solid Films 517(7), 2125 (2009); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.10.075.
M.D. Borcha, M.S. Solodkyi, S.V. Balovsyak, V.M. Tkach, I.I. Hutsuliak, A.R. Kuzmin, О.О. Tkach, V.P. Kladko, O.Y. Gudymenko, О.І. Liubchenko, Z. Świątek, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 22(4), 381 (2019); https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.381.
V.V. Brus, O.L. Maslyanchuk, M. M. Solovan, P.D. Maryanchuk, I.M. Fodchuk, V.A. Gnatyuk, N.D. Vakhnyak, S.V. Melnychuk, T. Aoki, Scientific Reports 9, 1065 (2019); https://doi.org/10.1038/s41598-018-37637-w.
M.A. Lampert, P. Mark, Current Injection in Solids, Academic Press (New York, 1970).
A. Zoul, E. Klier, Czechoslovak J. Phys. B 27(7), 789 (1977); https://doi.org/10.1007/BF01589320.
I. Fodchuk, A. Kuzmin, I. Hutsuliak, M. Solodkyi, V. Dovganyuk, O. Maslyanchuk, Yu. Roman, R. Zaplitnyy, O. Gudymenko, V. Kladko, V. Mоlоdkin, V. Lizunov, Proc. SPIE 113691H (2020); https://doi.org/10.1117/12.2553970.
X. Chut, B.K. Tanner, Semicond. Sci. Tech. 2, 765 (1987); https://doi.org/10.1088/0268-1242/2/12/002.
P.B. Hirt, Mosaic structure (Metallurgy, Moscow, 1960).
E. Schafler, M. Zehetbauer, and T. Ungar, Materials Science and Engineering. 319-321, 220 (2001); https://doi.org/10.1016/S0921-5093(01)00979-0.
E. Metzger, R. Hopler, and E. Born, Philosophical Magazine. 77(4), 1013 (1998); https://doi.org/10.1080/01418619808221225.
I.M. Fodchuk, V.V. Dovganiuk, I.I. Gutsuliak, I.P. Yaremiy, A.Y. Bonchyk, G.V. Savytsky, I.M. Syvorotka, O.G. Skakunova, Metallofizika i Noveishie Tekhnologii 35(9), 1209 (2013).
M.D. Borcha, M.S. Solodkyi, S.V. Balovsyak, V.M. Tkach, I.I. Hutsuliak, A.R. Kuzmin, О.О. Tkach, V.P. Kladko, O.Y. Gudymenko, О.І. Liubchenko, Z. Świątek, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 22(4), 381 (2019); https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.381.