Faraday Effect in ZnSe Crystals Doped with Transition Metals

Editorial Board PCSS Journal; О.В. Кінзерська; М.М. Сльотов; Т.М. Мазур; О.М. Сльотов; М.П. Мазур

doi:10.15330/pcss.27.3.505-509

Автор(и)

О.В. Кінзерська Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, м. Чернівці, Україна
М.М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, м. Чернівці, Україна
Т.М. Мазур Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, м. Івано-Франківськ, Україна
О.М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, м. Чернівці, Україна
М.П. Мазур Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, м. Івано-Франківськ, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.27.3.505-509

Ключові слова:

селенід цинку, 3d-домішки, ефект Фарадея, стала Верде, магнітні властивості

Анотація

Досліджено ефект Фарадея в кристалах селеніду цинку, легованих домішками перехідних металів. Встановлено, що магнітні домішки зумовлюють формування правої та лівої компонент колової поляризації випромінювання внаслідок взаємодії носіїв заряду з іонами кристалічної ґратки. У поздовжньому магнітному полі це призводить до появи різних спектральних компонент випромінювання та обертання площини поляризації світла. Визначено дисперсійні залежності сталої Верде для досліджуваних зразків. Показано, що легування базових підкладинок ZnSe домішками Mn і Co приводить до формування парамагнітного стану, тоді як домішка Fe зумовлює появу феромагнітних властивостей матеріалу.

Посилання

A. Sadao, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. (New Jersey: Wiley, 2009).

O. Ermakov, Applied Optoelectronics. (M.: Tekhnosfera, 416, 2004).

B. Dzundza, & all, Software and Hardware Complex for Study of Photoelectric Properties of Semiconductor Structures, IEEE 39th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), Kyiv, 635 (2019); https://doi.org/10.1109/ELNANO.2019.8783544.

A.N. Georgobiani, M.K. Sheinkman, Physics of A2B6 compounds. (M. Mir, 320, 1986).

B.M. Bullah, P.P. Gorbik, M.K. Komashchenko, Heterostructures of solid-phase substitution based on single crystals of A2B6 compounds, FTP, 15(2), 357 (1981).

O.V. Kinzerska, I.M. Senko, M.M. Slyotov, O.M. Slyotov, T.M. Mazur, Features of the management of the rule of Urbakh in ZnSe:Yb crystals, Physics and Chemistry of Solid State, 24(3), 495 (2023); https://doi.org/10.15330/pcss.24.3.495-498.

V.I. Fistul, Physics and Chemistry of Solids. (M.: Metallurgy, V.2, 320, 1995).

M.М. Slyotov, T.М. Mazur, V. V. Prokopiv, O.М. Slyotov, M.Р. Mazur, Sources of optical radiation based on ZnTe/ZnSe/ZnS heterostructures, Materials Today: Proceedings, 62, 5763 (2022); https://doi.org/10.1016/j.matpr.2022.03.476.

V.P. Gribkovsky, The theory of absorption and emission of light in semiconductors (Science and technology, Minsk, 464, 1975).

T.M. Mazur, M.M. Slyotov, V.V. Prokopiv, O.M. Slyotov, M.P. Mazur, Light emitters based on II-VI chalcogenides with nanostructured surface, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 752(1), 95 (2023); https://doi.org/10.1080/15421406.2022.2091276.

I. V. Horichok, L. I. Nykyruy, T. O. Parashchuk, S. D. Bardashevska, & M. P. Pylyponuk, Thermodynamics of defect subsystem in zinc telluride crystals. Modern Physics Letters B, 30(16), 1650172 (2016); https://doi.org/10.1142/S0217984916501724.

G. Wisz, P. Sawicka-Chudy, A. Wal, M. Sibiński, P. Potera, R., Yavorskyi, ... & O. M. Chernikova, Structure defects and photovoltaic properties of TiO2:ZnO/CuO solar cells prepared by reactive DC magnetron sputtering, Applied Sciences, 13(6), 3613 (2023); https://doi.org/10.3390/app13063613.

I.V. Tkachenko, Mechanisms of Defect Formation and Luminescence in Undoped and Tellurium-Doped Zinc Selenide Crystals. PhD Thesis (Physics and Mathematics), Specialty 01.04.10. Chernivtsi, 136, 2005.

Yu.V. Vorobyev, V.I. Dobrovolskiy, V.I. Strikha, Methods of semiconductor research. (K.: Higher School; 288, 1988).

V.P. Makhnii, O.V. Kinzerska, K.S. Ulianytskyi, Method for Doping Zinc Selenide with Transition Metal Impurities. Patent of Ukraine No. 46928, IPC C30B31/00. Applicant and patent holder: Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University. Application No. u200907592, filed July 20, 2009; published January 11, Bulletin No. 1, 2010.

T.M. Mazur, M.M. Slyotov, O.M. Slyotov, M.P. Mazur, Light emitters based on ZnSe, Low Temperature Physics, 51(2), 256 (2025). https://doi.org/10.1063/10.0035413.

V.I. Fistul, Atoms of Doping Impurities in Semiconductors. (M.: Fizmatlit, 432, 2004).

O.V. Kinzerska, Physical Properties of Zinc Selenide Crystals Doped with Transition Metals. PhD Thesis (Physics and Mathematics), Specialty 01.04.10. Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsi, 137, (2012).

V.I. Gavrilenko, A.M. Grekhov, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko, Optical properties of semiconductors. Reference book. (K.: Naukova dumka, 608, 1987).

P.Yu., M. Kardona, Fundamentals of Semiconductor Physics. (M: Fizmatlit, 560, 2002).

P.I. Nikitin, A.I. Savchuk, Faraday Effect in Semimagnetic Semiconductors, Physics-Successes, 160(11), 167 (1990).

A.M. Ermolaev, G I. Rashba, Faraday Effect in Conductors with Magnetic-Impurity Electron States, Low Temperature Physics, 23(11), 1211 (1997).